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明新科技大學 管理研究所碩士在職專班 顧鴻壽所指導 譚惠文的 動態隨機存取記憶體智慧財產專利研究分析 （2017），提出美光記憶體ddr4關鍵因素是什麼，來自於動態隨機存取記憶體、三維矽穿孔、立體堆疊封裝、專利分析、專利權、中國DRMA專利。
而第二篇論文健行科技大學 電機工程系碩士班 張茂林所指導 王麒逢的 多板系統之高速電路板佈局設計-以VC709為例 （2015），提出因為有 信號完整性、主板、眼圖、串音的重點而找出了 美光記憶體ddr4的解答。
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實況配備:
CPU:AMD R72700X
MB:ROG C6H
記憶體:美光LT競技版8Gx2 DDR4-3000
8GX2 DDR4-3200
HDD:WD藍標1TB SATA3
SSD:WD Blue 250g SATA TLC
VGA: 技嘉 RTX2060 OC 6G
POWER: be QUIET! U9 600W 銅
機殼:全漢 聖俠士
視訊:Logic C922
擷取卡:圓剛GC553
手機: Iphone se2
麥克風:Blue Yeti
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動態隨機存取記憶體智慧財產專利研究分析
為了解決美光記憶體ddr4 的問題，作者譚惠文 這樣論述：
目前動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)的應用市場有電腦、先進駕駛輔助系統、人工智慧、無人駕駛車、雲端大數據、網通、行動裝置、物聯網和企業級的線上交易等領域，因此加速對DRAM等記憶體元件有大量的需求，由於DRAM廠商的技術，近年來正在從2D平面製程轉換至3D垂直堆疊製程，在品質良率上的控制還有待於技術及降低製造成本上的突破。本論文將透過 M-Trends 專利分析平台，針對DRAM三維矽穿孔封裝(DRAM 3D through silicon via package,3D TSV)進行基本資料檢索並分析其專利分類技術等 歷年發展的情
況趨勢來分析。本研究結果發現，全球DRAM三維矽穿孔封裝專利件數從2007年至2018年之間，申請總件數為115件，並在2012年專利申請總件數攀升到最高峰為20件，從2013年到2017年之間，專利申請總件數是63件，趨勢開始往下進入衰退期，DRAM專利數量減少的原因，可能表示現階段的技術能力或材料方面，已經碰到瓶頸階段，並非DRAM產品需求減少，因為在全球DRAM市場應用方面，也預估將從2014年的229億美元市場規模大幅成長到2018年的996億美元。就中國市場的DRAM三維矽穿孔封裝專利件數，從2008年至2018年5月之間，申請總件數為67件。其中國市場在DRAM 3D TSV專利競
爭上，第一名是美國美光公司16件，第二名是美國英特爾公司13件，第三名則是韓國三星公司10件，期許未來高知識產業能在研發方面，善用專利分析來探索DRAM產業相關的技術，並提供台灣DRAM廠商未來技術的發展趨勢及其獲利的的策略參考。
多板系統之高速電路板佈局設計-以VC709為例
為了解決美光記憶體ddr4 的問題，作者王麒逢 這樣論述：
現今的3C產品因需求而提高工作時脈，在越來越高的工作時脈下，電路板佈局的設計也就越來越困難。如何減少信號的反射、串音、振鈴‧‧‧等這些議題也就越來越被重視。CPU與記憶體之間的匯流排其工作時脈經常是系統裡最高的部分，再加上在每一個世代的交替下，硬體的架構經常會有相當大的改變，因此造成系統設計時相當棘手的難題之一。從SDRAM世代轉換到DDR SDRAM其架構上就有很大的改變，從一個時脈週期抓取一次信號改變為一個時脈週期的上升跟下降各抓取一次信號。也就是說同一個工作時脈下抓取DATA的次數DDR SDRAM會是傳統SDRAM的兩倍。DDR2到DDR3在拓樸架構上也從T-topology變為Fl
y-by topology方式，至於DDR3到DDR4在架構上的改變，則是 Bank Group 和 POD設計，讓DDR4大大的提升工作的效率，也讓記憶體開始了另外一個世代。這些世代交換所改變的硬體及架構，其目的是為了要達到極佳的效能和更低的工作電壓，然而這些改變卻讓PCB的設計越來越複雜，成為一個極具挑戰性的工作。不過記憶體畢竟是單獨的一個元件，在設計及佈局上需要考慮到與其他元件的相容性，因此在記憶體的佈局上，除了記憶體本身要進行模擬分析以外，還需要將搭配的元件同時進行調整和模擬分析，來達到更好的信號完整性。為了讓記憶體的使用更有彈性，一種非常普遍存在的產品設計架構就是記憶體模組。這讓設計
更有彈性，但也衍生出了主板與子板連結問題。本文將使用Xilinx Virtex-7發展板VC709作為主板，美光的記憶體模組DDR3 SODIMM為子板，使用Allegro Cadence 16.5 SI的DesignLink功能，探討主板與記憶體模組的佈局設計，以及FPGA與記憶體的互連和其信號的完整性。