已經跟呼吸一樣重要的網路和手機論文書籍站
長庚大學 光電工程研究所 楊家銘所指導 廖元暉的 P-I-N 非晶矽光定址電位感測器應用於高解析度化學影像 （2013），提出火麒麟cs關鍵因素是什麼，來自於光定址電位感測器、化學影像、解析度。
而第二篇論文中國文化大學 生活應用科學研究所碩士在職專班 王麗菱所指導 王秋萍的 遊客休閒生活型態與旅遊消費行為之研究---以北投及烏來溫泉區為例 （2007），提出因為有 休閒、休閒生活型態、消費行為、溫泉的重點而找出了 火麒麟cs的解答。
火麒麟cs進入發燒排行的影片
火は結構組みやすいので参考までに。あくまでも周回用装備なのでカスタム次第でもう少し盛れると思います。
雷弓解説 https://youtu.be/usrC-2__nkw
氷弓解説 https://youtu.be/zkSC7ig7XyA
CSループ入門 https://youtu.be/gxNO2wLTjCw
弓必須7スキル https://youtu.be/OVxbOJhxm2U
MHW動画リスト http://u0u0.net/IftR
チャンネル登録→ http://u0u1.net/C3U8
ブログ→ http://missing31.blogspot.jp/
Twitter→ https://twitter.com/missing31_GAME
【ライブ配信の決まり】
・どの様な発言も自由です
・他人が傷つく発言は禁止
・下ネタはCOOLに発言しましょう
P-I-N 非晶矽光定址電位感測器應用於高解析度化學影像
為了解決火麒麟cs 的問題，作者廖元暉 這樣論述：
目 錄指導教授推薦書口試委員會審定書誌謝 iii中文摘要 iv英文摘要 v目錄 vii圖目錄 x表目錄 xiv第一章 簡介 - 1 -1.1 研究背景 - 1 -1.2 光定址電位感測器 - 2 -1.3 二維化學影像感測系統 - 3 -1.4 非晶矽材料與元件簡介 - 6 -1.5 研究動機與方法 - 11 -第二章 薄矽基板光定址電位感測器之化學影像 - 18 -2.1 簡介 - 18 -2.2 實驗 - 18 -2.2.1 LAPS 製程 - 18 -2.2.2 CF4電漿對Nb2O5 薄膜
處理 - 20 -2.2.3 量測環境 - 20–2.2.4 材料分析 - 22– 2.3 結果與討論 - 22–2.3.1 矽基板厚度比較 - 22– 2.3.1.A 光源頻率與振幅對 KR LASER 強度測試 - 22– 2.3.1.B 光源頻率與振幅對LAPS 元件影響 - 23– 2.3.1.C 氫離子感測特性 - 24– 2.3.1.D 矽基板厚度空間解析度比較 - 26–2.3.2 CF4電漿對Nb2O5薄膜處理 - 27– 2.3.2.A 氫離子感測特性 - 27– 2.3.2.B
鉀離子感測特性 - 28–2.3.3 材料分析 - 28 -2.4 結論 - 29 -第三章 非晶矽光定址電位感測器之化學影像 - 44- 3.1 簡介 - 44-3.2 實驗 - 44-3.2.1 a-Si LAPS 製程 - 44-3.2.2 量測環境 - 46-3.2.3 材料分析 - 46-3.3 結果與討論 - 47-3.3.1 a-Si LAPS 光源頻率與振幅之影響 - 47-3.3.2 不同非晶矽結構對光電壓影響 - 48-3.3.3 氫離子感測特性 - 49-3.3.4 空間解析度與化學影像
- 51-3.3.5 材料分析 - 52-3.4 結論 - 53-第四章 結論與未來展望 - 70-4.1 總結 - 70-4.2 未來展望 - 71-附錄 - 73-參考文獻 - 85- 圖目錄第一章圖 1-1離子感測場效電晶體 - 13-圖 1-2 LAPS結構 - 13-圖1-3 LAPS結構等效電路 - 14-圖1-4對不同厚度矽基板進行空間解析度的模擬結果 - 14-圖1-5結晶矽、非晶矽及氫化非晶矽原子結構 - 15-圖1.6不同厚度非晶矽薄膜，對於不同光波長的吸收 - 15-圖1-7 P-I-N
結構接合時內建電場 - 16-圖1-8 p-n結構與P-I-N結構太陽能轉換效率比較 - 16-圖1-9論文架構 - 17-第二章圖2-1 NbOx LAPS實驗製程流程 - 30-圖2-2 LAPS量測系統 - 30-圖2-3雷射光源強度與頻率 - 31-圖2-4雷射光源強度與頻率 - 31-圖2-5不同厚度光電壓比較 - 32-圖2-6不同頻率光電壓比較 - 33-圖2-7不同光源振福與光電壓比較 - 34-圖2-8矽基板500μm在熱退火500oC處理1KHz下的特性曲線 - 35-圖2-9矽基板500μm在熱退火500o
C處理1KHz下的pH感測 - 35- 圖2-10矽基板350μm在熱退火500oC處理1KHz下的特性曲線 - 36- 圖2-11矽基板350μm在熱退火500oC處理1KHz下的pH感測 -36- 圖2-12矽基板500μm不同熱退火溫度感測度與線性度比較 - 37- 圖2-13矽基板350μm不同熱退火溫度感測度與線性度比較 - 37- 圖2-14矽基板500μm不同溫度熱退火在紅光10KHz下的時漂 - 38- 圖2-15矽基板350μm不同溫度熱退火在紅光10KHz下的時漂 - 38- 圖2-16(a)光罩線寬大小(b)a-si
LAPS 實際樣品 - 39- 圖2-17矽基板500μm厚度之化學影像 - 40- 圖2-18矽基板500μm厚度之化學影像 - 40- 圖2-19四氟化碳處理時間與pH感測 - 41- 圖2-20氧化鈮之四氟化碳電漿處理遲滯現象之分析 - 41- 圖2-21鉀離子感測度與線性度圖 - 42- 圖2-22氟化氧化鈮之F元素X射線光電子能譜儀分析圖 - 42- 圖2-23氟化氧化鈮之O元素X射線光電子能譜儀分析圖 - 43-第三章 圖3-1 a-si LAPS實驗製程流程 - 54- 圖3-2 a-si LAPS結構
- 54- 圖3-3 a-si LAPS元件對頻率之影響 - 55- 圖3-4 (a)a-si SPIM(b)等效電路(C)改變光源頻率特性(d)改變光源頻率模擬特性 - 56- 圖3-5 I層400nm不同結構非晶矽光電壓比較 - 57- 圖3-6 I層500nm不同結構非晶矽光電壓比較 - 57- 圖3-7 I-type厚度為500nm在1KHz下無熱退火處理的特性 - 58- 圖3-8 I-type厚度為500nm在1KHz下無熱退火處理的pH感測特性 - 58- 圖3-9 I-type厚度為500nm在1KHz下經熱退火處理的特性
- 59- 圖3-10 I-type厚度為500nm在1KHz下無熱退火處理的pH感測特性 - 59- 圖3-11 P-I-N a-si LAPS 時漂 - 61- 圖3-12 P-I-N a-si LAPS 薄膜脫落樣品 - 61- 圖3-13(a)光罩線寬大小(b)a-si LAPS 實際樣品 - 62- 圖3-14 I type a-si LAPS(a)量測 (b)2D化學影像 - 63- 圖3-15 P-I-N type a-si LAPS(a)量測 (b)2D化學影像 - 64- 圖3-16不同結構非晶矽吸收度比較 - 6
5- 圖3-17不同矽種類之吸收度、波長、能隙、滲透深度 - 66- 圖3-18 I type a-si薄膜之XRD 分析 - 66- 圖3-19 P-I-N a-si type a-si薄膜之XRD 分析 - 67- 圖3-20 P-I-N a-si SIMS分析(Cs離子源) - 67- 圖3-21 P-I-N a-si SIMS分析(O2離子源) - 68- 圖3-20 P-I a-si SIMS分析 - 68- 圖3-20 I-N a-si SIMS分析 - 69-第四章 圖4-1 p型或n型非晶矽對SiH4參雜比例吸收度與遷移
率 - 72- 圖4-2 IGZO/ITO Glass 之光吸收度圖 - 72-附錄 附錄圖一 CF4 plasma 處理後氧化鈮薄膜厚度與蝕刻速率 - 74- 附錄圖二 使用AFM對CF4 plasma 處理時間對氧化鈮薄膜之表面粗糙度分析 - 74- 附錄圖三 使用X-Y手動微調基座後光點大小為100μm - 75- 附錄圖四 解析度算法(a)量測數據 (b)一階微分 - 76- 附錄圖五 對焦調整前後，以10kHz掃描相同樣品之化學影像圖 -77- 附錄圖六 不同頻率之PIN LAPS的化學影像 - 78- 附錄圖七 不同結
構LAPS之化學影像於1kHz - 79- 附錄圖八 drift特性與fitting - 81- 附錄圖九 不同光源之光電壓比較 - 82- 附錄圖十 H2 plasma 處理時間與光電轉換比較 - 83- 附錄圖十一 非晶矽通入H2處理後與吸收度比較 - 83-表目錄第一章 表1.1 ISFET 與 LAPS 之優缺點比較表. - 12-第二章 表2.1氧化鈮之四氟化碳電漿處理感測度比較 - 43-第三章 表3.1不同結構非晶矽pH溶液中之基本特性 - 60-附錄 表附錄一 不同光源頻率與不同結構之LAPS空間解析度比較
- 80-
遊客休閒生活型態與旅遊消費行為之研究---以北投及烏來溫泉區為例
為了解決火麒麟cs 的問題，作者王秋萍 這樣論述：
本研究旨在瞭解北投及烏來溫泉區遊客休閒生活型態及消費行為，並進一步比較其休閒生活型態與旅遊消費行為之差異。研究採問卷調查，共發放1100份問卷，有效問卷為1033份，問卷有效回收率為93.91%。資料使用SPSS 10.0統計軟體進行次數分配、百分比、平均值、標準差、卡方、獨立樣本t檢定、單因子變異數分析、Scheff事後比較、二因子變異數分析、點二系列相關、Kendall和諧係數等進行分析，研究重要結果如下：一、北投及烏來溫泉區遊客之休閒生活型態以「逃離生活者」為最多。二、北投地區遊客的資訊來源最高前三項為「報章雜誌」、「口耳相傳」及「網路」；烏來地區遊客的主要資訊來源為「口耳相傳」、「網
路」及「戶外活動看板」。三、北投地區遊客之評估準則以「交通便利」為最多，其次為「舒適及多樣化的休閒設施」及「溫泉泉質」；消費動機為「排除壓力」、「體驗溫泉」及「體驗休閒」。烏來地區遊客之評估準則以「溫泉泉質」為最多，其次為「舒適及多樣化的休閒設施」及「特色美食」；消費動機為「體驗休閒」、「體驗溫泉」及「排除壓力」。四、「區域」與「職業類別」在「消費動機」上達顯著交互作用；「區域」、「教育程度」與「平均月收入」在「遊客滿意度」上達顯著交互作用。五、「婚姻狀況」與「平均月收入」在「消費動機」達顯著差異；「職業類別」及「平均月收入」在「遊客滿意度」達顯著差異。 根據本研究之發現與結論，對北投及
烏來溫泉業者、政府相關部門與未來研究者提出具體建議。