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快 閃 記憶體 好處的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦趙仁河寫的 科學小偵探1：神祕島的謎團 和吳敏求,楊倩蓉的 吳敏求傳 ﹕從零到卓越的識與謀都 可以從中找到所需的評價。
另外網站HDD蠶食手機儲存市場NOR/NAND以技術及購併策略應戰也說明：快閃記憶體 廠商也開始思考如何突破現有技術瓶頸，試圖結合NOR與NAND的優點。 為了儲存與日俱增的手機多媒體內容，記憶體儲存容量持續攀升，硬碟機(HDD) ...
這兩本書分別來自采實文化 和天下文化所出版 。
國立暨南國際大學 電機工程學系 吳幼麟所指導 蔡松霖的 封裝對γ-APTES之電阻切換特性之影響 （2018），提出快 閃 記憶體 好處關鍵因素是什麼，來自於封裝、電阻切換、γ-APTES、PDMS、隨機存取記憶體。
而第二篇論文國立成功大學 光電科學與工程學系 賴韋志所指導 林彥暉的 磁控共濺鍍二氧化矽-氧化鋅奈米複合物儲存層之氧化鋅薄膜快閃記憶體研究 （2015），提出因為有 氧化鋅、薄膜電晶體、非揮發式記憶體、快閃記憶體的重點而找出了 快 閃 記憶體 好處的解答。
最後網站SSD快閃記憶體-深入理解與剖析則補充：與傳統硬碟相比，SSD有甚麼好處呢？ 1. 啟動速度快（筆者按：由於random access快，所以能更快找到散佈硬碟不同角落的DLL檔案）
科學小偵探1：神祕島的謎團
為了解決快 閃 記憶體 好處 的問題，作者趙仁河 這樣論述：
科學知識 ╳ 邏輯推理 ╳ 迷宮逃脫 ╳ 燒腦謎語 三位科學小偵探即將前往神祕島，迎接未知挑戰， 一場緊湊刺激的腦力大激盪即將展開！ 隨著一關關的解謎過程，學習生物、物質、浮力等科普知識， 只要理解科學原理的關鍵點，所有的謎團都將一一破解！ 哈囉！我們是花牆國小的三位學生，在某個夏日來到了神秘島， 在島上偶然遇見柯蘭老師，並從柯蘭老師那裡聽到關於神祕島的祕密。 原來是爺爺留下了幾句不完整的話語就過世了， 到底是什麼樣的祕密？難道是金光閃閃的寶藏？ 如果想要揭開那個謎團，就必須要解開科學謎題才行！ 哇，真是太令人興奮了！ 快跟我們一起展開冒險的旅程吧！
◎老師居然被當成項鍊小偷了！你能聰明的採集指紋，找出真正小偷嗎？ ◎爺爺留下的文字，好像是一種暗號，你能找出文字暗藏的訊號嗎？ ◎神秘島上竟然有個神祕山洞，如何推開山洞前方的巨石呢？ ◎判斷每一樣物品的「物質」屬性，才能通過幸福之橋，如果不小心弄錯的話…… ◎找出不是昆蟲的動物，巨石門才會打開，你能找出來嗎？ ◎糟糕！小偵探們被困住了，成功點燃火焰就能逃出，你知道怎麼做嗎？ ◎考考你的觀察力，你能找到走出水道迷宮的正確路徑嗎？ ★科普知識學習重點 #物質的性質及狀態 #生物與環境 #水與浮力 #磁鐵的使用 #動物的生活 #生物分
類學 ★最受小學生喜愛的科學推理橋梁書 為什麼推理橋梁書能吸引孩子的目光？答案是「參與感」和「成就感」。從一點一滴挖掘出的線索，讓人隨著劇情的推移而心跳加速，跟著主人公來一波大腦風暴，尤其當最後謎底揭曉的時刻，頓悟後的雀躍心情，更是讓孩子愛上學習的動力！閱讀推理橋梁書的好處還有： ◎滿足孩子的求知欲及喜愛追根究柢的精神 ◎鍛鍊孩子的細節觀察力、獨立思考力、推理分析力、語言歸納力 ◎吸引孩子沉浸於書中跌宕起伏的內容，滿足參與感及好奇心 ◎解謎過程如同遊戲，趣味性的內容，讓孩子一讀再讀，培養良好閱讀習慣 ◎揭開謎團的過程，彷彿進行了一場思維體操，邏輯推理能力加倍
提升！ ◆文字附注音，清晰大字＋彩色插畫＋益智關卡，激發孩子閱讀意願 ◆適讀年齡：7～12歲，小學中高年級、國中適讀 ◆全書字數約2萬字，可自主閱讀，從中學習邏輯推理、提升科學素養 ◆呼應小學108課綱自然科學最佳橋梁書，擴充孩子大腦的科普記憶體 好評推薦 盧俊良‧宜蘭縣岳明國小自然老師
封裝對γ-APTES之電阻切換特性之影響
為了解決快 閃 記憶體 好處 的問題，作者蔡松霖 這樣論述：
在所有電子系統當中，記憶體元件通常是不可或缺的。由於傳統快閃記憶體逐漸接近其尺寸微縮的極限，很多研究學者開始投入下一世代的非揮發性記憶體的開發。許多新的記憶體技術陸續被提出來，而其中電阻切換記憶體（Resistive Random Access Memory, RRAM）因為具有結構簡單、製作容易以及微縮性高的優點，被認為是未來記憶體元件應用的主要候選者之一。在電阻切換記憶體所使用的絕緣層，可以是無機的材料也可以是有機的材料。使用有機材料的好處是製程簡單且可以在低溫下處理。但是有機材料很容易被環境中的氧氣或水蒸氣影響，導致性能劣化，所以有機層通常需要做表面鈍化或加以封裝。本論文旨在探討以3-
氨基丙基三乙氧基矽烷（Gama-Aminopropyl-triethoxysilane, γ-APTES）為絕緣層的電阻切換記憶體在有封裝及沒有封裝下特性的差異。γ-APTES是一種氨基官能的有機矽烷材料，原本是應用在生醫感測的一種材料，本實驗團隊則發現γ-APTES可以表現出電阻轉換。在實驗中，我們以玻璃當作元件基板，清洗玻璃基板後，透過覆蓋金屬遮罩使用蒸鍍機在玻璃基板上蒸鍍鋁當作底電極，接著調配不同濃度的γ-APTES，以旋塗方式將不同濃度的γ-APTES塗布在晶片上，再以蒸鍍機於樣本表面以金屬遮罩蒸鍍鋁做為上電極，得到具Al/γ-APTES/Al/glass結構之電阻切換式記憶體。再將一
部分製作完成的γ-APTES電阻切換式記憶體，使用鑄模的聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane, PDMS）進行封裝。最後，針對製作完成後的有封裝及無封裝之元件以Agilent-4156B半導體參數分析儀進行電流-電壓（I-V）特性量測，以比較其電阻切換特性。在本論文中，我們可以看到封裝與沒有封裝的RRAM之切換電壓和高阻態的電阻（Resistance of High Resistance State, RHRS）及低阻態的電阻（Resistance of Low Resistance State, RLRS）有明顯的不同。我們探討了造成這種差異的原因。
吳敏求傳 ﹕從零到卓越的識與謀
為了解決快 閃 記憶體 好處 的問題，作者吳敏求,楊倩蓉 這樣論述：
吳敏求：「有的人很會創業，有的人很會救公司， 很少人像我同時有這兩種經驗，這兩種經驗完全不一樣， 一個是從小變大，一個是從大變小。」 從客廳的任天堂主機到車庫裡的車子，都少不了旺宏的記憶體﹗ 台灣第一位登上《富比士》封面的企業家吳敏求， 首度分享，他帶領旺宏從零到全球第一大快閃記憶體的經營智慧﹗ 1989年創立旺宏之初，吳敏求就堅持自主研發，不走代工之路，讓旺宏至今擁有八千多項專利，成為台灣唯一打贏國際專利官司的企業，更堅持做出世界第一品質，讓各大企業都爭相與他合作，這是他胸懷萬里、遠見獨具的「識」。 在旺宏仍是沒名、沒資金、沒政府支持的「三無」小公司時，他就讓任天堂和
台積電兩大企業都願意與他合作，並以專注優勢和比領先者更大膽的創新思維，帶領旺宏度過2002年的經營危機，不僅谷底翻身，更一躍成為全球最大快閃記憶體公司，這是他洞燭機先、深具商業智慧的「謀」。 現在半導體產業成為台灣的護國神山，並引領全球科技業發展，三十三年他前帶領四十位工程師返台創業，《富比士》稱讚他是對台灣矽島最有貢獻的企業家，他識謀兼具的經營智慧以及對人才的培育，更是對台灣風起雲湧的科技發展有不可磨滅的影響及貢獻。 【吳敏求跨越兩座低谷，從零到卓越的經營智慧】 ●我是戰士，要死也要死在戰場上。 ●我從創業的第一天開始，就沒省過研發的錢。 ●落後者，一定要比領先者
更大膽創新。 ●顧客不是永遠都是對的，重點是你一定要提供別人不能提供的特殊價值，才能平起平坐，如果你只是me too，怎麼可能有談判空間？ ●借力使力有一個最重要的關鍵點，你的合作對象一定要有利，而且要有很多利，要先想清楚他的利在哪裡，才能去談判。 ●「做對」比「做成」更重要，做了沒有競爭力的產品，還不如不做。 ●能允許失敗的老闆，是因為他們懂得就算失敗，本來七十分的東西， 會因為失敗學習到新東西，反而進步二十分，這種失敗叫做光榮的失敗。 ●天下沒有一句管理金句可以影響一個人的決定，人生是一個過程，要看我們 在這個過程中，選擇的是什麼，以及如何聰明解題。 ●
當你認為成功了，就是失敗的開始。 重量推薦 台灣的年輕一代要記住吳敏求一生的縮影：出生於大陸，成長於台灣，歷練於美國，再創業於台灣。要學會他自己奮發圖強，產品創新領先世界的抱負。── 遠見‧天下文化事業群創辦人 高希均 開風氣之先，帶領學人回國創業；開風氣之先，切入品牌與技術；開風氣之先，開創高科技類股。回饋母校，嘉惠學子，不遺餘力。王道企業家的典範！── 前行政院長、財團法人善科教育基金會董事長 張善政 這是一部胸懷鴻圖大志的年輕工程師，一步步借力使力、知人善任，終於成就夢想的企業家奮鬥傳記，也是一本記憶台灣半導體科技發展史的真實記事，非常推薦閱讀。─
─ 前科技部部長、台大電機系講座教授 陳良基
磁控共濺鍍二氧化矽-氧化鋅奈米複合物儲存層之氧化鋅薄膜快閃記憶體研究
為了解決快 閃 記憶體 好處 的問題，作者林彥暉 這樣論述：
本篇文主要探討非揮發氧化鋅快閃記憶體。快閃記憶體主要分為兩類，一類為在氧化層內部塞入浮閘的元件；另外一類為在氧化層與主動層的介面之間缺陷讓電荷被缺陷抓住的元件。藉由電荷的束縛多寡會改變電晶體的臨界電壓。有別以往，我們挑選氧化鋅作為電晶體的主動層好處是可以在腔體內部一次成長完畢結構簡單、大面積製造、花費低廉，而且氧化鋅場效電晶體的輸出曲線擁有難飽和的特性高 DC 輸出阻抗可應用在高功率元件上。 本實驗分為兩個部分，第一部分為用不同的退火溫度改善底部閘極氧化鋅薄膜電晶體的負電阻的現象；第二部分為在氧化鋅薄膜電晶體的氧化層內部塞入一層共濺鍍的二氧化矽/氧化鋅的奈米點作為氧化鋅快閃記憶體的浮閘
並觀察量子點電荷儲存效應。實驗結果顯示再濺鍍完主動層與氧化層後透過熱退火處理可以降低氧化層與主動層內部的缺陷、氧化鋅薄膜晶向強化間接增加電子遷移率改善輸出曲線的負電阻現象。 最後實驗在氧化鋅電晶體氧化層內部塞入一層共濺鍍二氧化矽與氧化鋅當作電荷儲存層作為氧化鋅快閃記憶體。關鍵在於共濺鍍二氧化矽與氧化鋅時，氧化鋅的功率不可過高遲滯窗口將會拉大，我認為這是嵌入在二氧化矽內部的氧化鋅趨近於點狀相較於氧化鋅薄膜較容易儲存抓取電子不易側向傳輸、反覆操作由穿隧層漏電逃走，最後在記憶體持續時間的量測一萬秒過後，內嵌入共濺鍍層的電流開關比明顯較沒加入儲存層的薄膜電晶體來的大。