快閃記憶體rom的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

半導體：手機、電腦不可或缺的基本元件，來認識推展現代社會的中堅分子!

為了解決快閃記憶體rom的問題，作者菊地正典 這樣論述：

　　手機、電腦不可或缺的基本元件，　　來認識推展現代社會的中堅分子！ 　　徹底瞭解！半導體的性質、作用，以及其中的原理，新型記憶體、微影技術的開發……半導體與未來息息相關！ 　　電腦內的CPU、記憶體，到最近的智能家電、汽車……等，幾乎所有產品都搭載了半導體元件和積體電路。半導體和積體電路是許多技術者夜以繼日進行改良之後所得到的先端技術結晶，可以說是從人類的智慧衍生而出，最夯也最具代表性的產品。 　　為了用最淺顯易懂的方法向各位解說半導體的全貌，本書以文字搭配圖片的解說方式，重點式的介紹半導體的各種機能、製造方法、特徵。相信透過了解半導體，一定可以讓各位看到另一個嶄新的世界。 本書特色 　

　解說深入淺出，適合普羅大眾閱讀。　　搭配彩色圖解與生動比喻，專業知識輕鬆學。　　內容全面，半導體的基礎知識、積體電路、IC的設計以及尖端技術均有說明。 作者簡介 菊地正典 　　1968年畢業於東京大學工學部物理工學科。進入日本電氣有限公司就職以來，一直從事半導體的裝置．處理開發業務。有了半導體的生產經驗後，在該公司任職半導體事業團體主席技師長、NEC電子裝置主席技師長。2002年開始擔任社團法人日本半導體製造裝置協會專務理事，2007年成為半導體能源研究所（有限公司）的顧問。著有「電學」……等書。

快閃記憶體rom進入發燒排行的影片

基於記憶體安全相關應用之低峰值低能耗多位元電流感測放大器及內嵌式高面積效率近記憶體運算功能電路

為了解決快閃記憶體rom的問題，作者李俊穎 這樣論述：

目前非揮發性記憶體的發展在記憶體市場上具有龐大的潛力，現今以快閃記憶體為最大宗，然而快閃記憶體需要在高電壓下才能進行寫入和抹除資料，且操作速度較慢並且難以隨著先進製程一直微縮。因此，下世代新型的非揮發性記憶體如STT-MRAM，ReRAM等，可以在低電壓下操作且有百倍以上的操作速度，成為了取代快閃記憶體的選擇並應用在各式各樣需要高速運算的終端裝置上。而現今許多終端設備與機器上，對於資料安全防護的意識與需求越來越高，這些裝置多數使用安全散列算法（SHA）或進階加密標準（AES）演算法將內部的資料以及明文進行數據加密。而這些操作需要高速的讀取速度和可以搭配wide-IO的非揮發性記憶體（NVM）

來實現高讀取帶寬。此外，為了減少傳統馮紐曼(Von Neumann)架構運算中大量的資料搬移，在記憶體內放置運算單元的近記憶體運算 (Near memory computing)可以有效降低安全相關演算法的運算時間以及功耗。自旋力矩轉移-磁阻式隨機存取記憶體（STT-MRAM）是主要用於先進製程節點的on-chip非揮發性記憶體，有著現在非揮發性記憶體中最快的讀取速度。但是，它需要具備小偏移量的感測放大器才能容忍微小的穿隧式磁阻比例(TMR-Ratio)來進行穩定的讀取，會造成大量的面積消耗和讀取能量（ERD）。因此設計一個高讀取帶寬、安全相關自旋力矩轉移-磁阻式隨機存取記憶體運算巨集主要面臨

的挑戰有：1. 使用大量的感測放大器進行平行讀取，可實現較短的讀取時間，但會導致峰值電流（IPEAK）提高和消耗大量面積和能量。若使用較少數目的感測放大器依序讀取多位元可減少高峰值電流和面積及能量消耗，但會導致較長的讀取時間進而降低讀取帶寬。2. 具有較高峰值電流的自旋力矩轉移-磁阻式隨機存取記憶體巨集會降低晶片的電源穩定性，可能會導致同一晶片上對雜訊敏感的區塊出現故障。3. 傳統的記憶體-邏輯單元分離架構於非揮發性記憶體的安全邏輯運算會導致較長的延遲時間 (wide-IO讀取及觸發器做移位/旋轉位元需要兩個週期)，以及消耗額外的面積跟能量。本論文主要討論自旋力矩轉移-磁阻式

隨機存取記憶體在高帶寬讀取中的出現的問題，以及傳統馮紐曼架構的效能瓶頸，並提出結合了低能耗多位元電流感測放大器（LEMB-CSA）以及高面積效率近記憶體運算之電路。放大器具有電流裕度持續增強、製程變異容忍、小面積、低峰值電流、低能耗的特性；而內嵌於感測放大器之下的近記憶體運算電路具有高面積效率以及低功耗的表現，有效解決了前面所提到的設計挑戰。在台積電22 奈米製程分析下，我們提出的讀取架構相較於傳統電流感測放大器可有35.2%的良率改善且多容忍80%的穿隧式磁阻比例。此外，減少的參考電流數量和流水線電流採樣方式使我們提出的感測放大器的能耗相較於2020年ISSCC發表的多位元電流感測放大器減少

了36.4％，峰值電流降低了40％，可容忍之偏移量提升1.3倍，而僅付出相對於傳統電流感測放大器(並行感測) 18.2％讀取速度的代價。而我們提出的近記憶體運算電路可以減少33.3%的面積消耗和48.8%的功耗，並可以結合電流感測放大器的讀取操作，在一個工作週期內完成移位/旋轉位元的邏輯運算。最後，我們與台積電合作在22奈米以及28奈米的CMOS工藝中實做並驗證我們提出的架構，本篇的量測驗證以28奈米的記憶體測試巨集為主，在VDD = 0.9伏特時，8個位元的讀取速度 = 3.12奈秒(ns)，而在感測8位元+完成1位元移位/旋轉的近記憶體運算模式中為3.29奈秒(ns)，僅額外多消耗了0.1

7奈秒(ns)。

光電科技與新儲存產業

為了解決快閃記憶體rom的問題，作者曲威光 這樣論述：

　　「光電科技(Photoelectrictechnology)」是繼電子產業之後另一個熱門的科技產業，光電科技與電子產業最大的不同在於，光電科技除了要了解「電」以外，更要懂「光」，因此算是一個整合型的新興產業。1990~2000年臺灣由於發展電子產業，造就了一波臺灣的經濟奇蹟，2001~2005年政府則是全力投入發展光電科技相關的產業，「兩兆雙星」產業中，最重要的「液晶顯示器產業」就是一個例子。光電科技包括：光顯示產業、光儲存產業、光通訊產業、光輸出產業、光輸入產業等，其中光輸出產業包括：印表機、影印機、傳真機、多功能事務機等；光輸入產業包括：掃瞄器、數位相機、電腦相機等，這些部分是屬於

系統整合方面的產品，而且這些產品目前的利潤都很低，因此本書將不詳細介紹這些產品，而將重點放在光顯示產業、光儲存產業、光通訊產業三大光電產業主體。

應用於非揮發性記憶體內運算架構之高速雙位元全電壓值域感測放大器

為了解決快閃記憶體rom的問題，作者高暉曜 這樣論述：

近年來，隨著行動裝置和物聯網的發展比以往更加盛行，對於非揮發性記憶體的要求與日俱增。目前主流的非揮發性記憶體為快閃記憶體(FLASH)，其具有成本低、容量大的特性而被大眾廣泛使用。然而，由於快閃記憶體需要高寫入電壓，且在製程微縮上遇到許多問題而陷入了瓶頸，因此開始拓展下世代的非揮發性記憶體(ReRAM, STT-MRAM, ...等)。相比傳統的快閃記憶體，下世代非揮發性記憶體可以使用較低的電壓來寫入、較快的讀取速度、較小的面積、並且具有邏輯製程相容性，這些優點使非揮發性記憶體比快閃記憶體更適合應用於內嵌式裝置。又隨著深度學習和物聯網的發展，需要計算的資料量隨著神經網路的複雜度而上升，然而，

傳統的范紐曼架構(Von Neumann)讓大多數的時間浪費在處理器和記憶體間的資訊搬運，兩者間的帶寬限制造成了運算速度的瓶頸。所以，近年來開始提出記憶體內運算(CIM)來解決這個問題，這使得需要傳輸的資訊是經過計算後的，減少資訊的搬移，進而提升處理效率，並搭配上非揮發性記憶體的特性，使得非揮發性記憶體內運算更適合運用在行動裝置和物聯網。本碩士論文會探討非揮發性記憶體內運算所面臨之挑戰，並提出一個電壓感測放大器去解決這些問題，主要面臨的挑戰有下面兩個:1. 隨著網路的複雜度提升，為了提高準確度，多位元的輸入和權重是必須的。然而隨著輸出的位元數上升，非揮發系性記憶體內運算架構需要更長的時間

來完成，操作的速度因此下降。2. 在有限的電壓下，傳統的電壓感測器並不能在低於臨界電壓的部分做正常的操作，因此不同累加值之間的感測裕度降低，讀取的良率也會跟著降低。因此在此篇論文中提出一個電壓感測放大器，可以在一個操作區間內，產生連續兩位元的輸出，分別是00、01、10、11的值。提出的電壓感測放大器的時間比傳統的電壓感測放大器少48% ~ 52%，且在記憶體內運算巨集的時間比使用傳統的電壓感測放大器快27% ~ 39%。並且提出的電壓感測放大器支援全值域的電壓感測，使得在做非揮發性記憶體內運算時的感測裕度可以放大。同時具有製程變異消除和放大感測裕度的機制來在小的感測裕度也有較高的良率。

傳統的電壓感測放大器在不同的共模電壓下能夠容忍的小偏壓電壓量也不同，而提出的電壓感測放大器能夠容忍1.76 ~ 2.91倍的小偏壓電壓量，且在不同的共模電壓下能夠容忍的小偏移電壓量很穩定。我們以容量為4Mb的電阻式記憶體來實現記憶體內運算，使用台積電22奈米製程。在正常操作電壓0.8V，量測提出的兩位元輸出電壓感測放大器速度為1.36ns而傳統的電壓感測放大器為1.24ns。應用在記憶體內運算架構八位元輸入和八位元權重的速度，輸出八位元可以達到14.8奈秒。