快取記憶體目的的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

從OS等級探究：Redis運作原理程式逐行講解

為了解決快取記憶體目的的問題，作者梁國斌 這樣論述：

用超高速C語言解析Unix下Redis程式及完整執行過程 一次精通Redis、UNIX程式設計、分散式系統、儲存系統   　　▍本書主要內容 　　 　　本書深入分析了Redis的實現原理，所以並不是Redis的入門書。為了儘量降低閱讀難度，本書複習了Redis各個核心功能的實現原理，提取了Redis核心程式（本書會儘量避免堆積程式），並以適量圖文，對Redis原始程式及其實現原理進行詳細分析，介紹Redis核心功能的設計思想和實現流程。 　　 　　雖然本書的大部分內容是對Redis原始程式的分析，但是並不複雜，即使讀者只是簡單了解C語言的基礎語法，也可以輕鬆讀懂。 　　 　　另外，本書結合

Redis目前的最新版本6，分析了Redis最新特性，如Redis 6的ACL、Tracking等機制。為了照顧對Redis最新特性不熟悉的讀者，這部分內容提供了詳細的應用範例，幫助讀者循序漸進、由淺到深地學習和了解Redis最新特性。   　　本書也不侷限於Redis，而是由Redis延展出了兩方面內容：   　　（1）Redis中使用的UNIX機制，包括UNIX網路程式設計、執行緒同步等內容，本書會透過原始程式展示Redis如何使用這些UNIX機制。 　 　　（2）如何透過Redis實現一個分散式系統，主要是Sentinel、Cluster機制的實現原理。   　　本書使用的原始程式版本是

Redis 6，本書提供的Redis操作案例，如無特殊說明，也是在Redis 6版本上執行的操作實例。   本書特色   　　．分析Redis的字串、清單、雜湊、集合這幾種資料類型的編碼格式。 　　．介紹Redis事件機制與命令執行過程。 　　．利用I/O重複使用模型，實現事件循環機制。 　　．說明Redis持久化與複製機制。 　　．檔案持久化、從節點複製，透過將資料複製到不同備份中，從而保持資料安全。 　　．使用RDB、AOF持久化機制，以及主從節點複製流程等。 　　．Redis分散式架構，從流行的分散式演算法Raft出發，分析Sentinel監控節點，Cluster叢集實現資料分片，支援動

態新增、刪除叢集節點，以及容錯移轉。 　　．說明Redis中的進階特性，包括Redis交易、非阻塞刪除、ACL存取控制清單、Tracking機制、Lua指令稿、Module模組、Stream訊息流等內容。

快取記憶體目的進入發燒排行的影片

動態選擇有效快取資料傳輸之高效能GPU設計

為了解決快取記憶體目的的問題，作者趙龍 這樣論述：

本篇論文分析了記憶體請求在Memory Partition中堵塞的情況。由於L1 cache的大量未命中請求進入 Memory Partition 存取資料，且 Memory Partition 與上層記憶體 L1 cache 和下層記憶體 DRAM 互相溝通，因此，將會導致 Memory Partition中的佇列排隊延遲，影響記憶體資料回填的等待時間。本篇論文提出了兩種方法來改善 Memory Partition 堵塞。首先，提出 Dynamic Replace Cache Data Mechanism (DRCDM)，使用動態的方式選擇進入 L1 cache 的記憶體請求數量。接著，提

出 Program Counter Aware Filter (PCAF)，進一步地過濾對效能有幫助的資料中重用率較高的資料區塊放入 L1 cache，以上兩個方法皆可減少回傳的記憶體資料量進而改善記憶體請求在 Memory Partition 中堵塞的情況，並且兼顧 L1 cache 的存取效能。

計算機組成原理：基礎知識揭密與系統程式設計初步

為了解決快取記憶體目的的問題，作者北極星 這樣論述：

初學者輕鬆學習計算機組成原理 詳盡的圖文解說能讓你快速上手 精選的主題循序漸進更簡單操作   　　電腦，又被稱為計算機或者是電子計算機，其廣大的應用程度幾乎已到了每個人不知不覺的境界.。對現代人而言，人手不離手機，而手機，其實就是一台小型的電腦，而如果想要了解電腦，第一步就是得了解計算機系統。   　　本書的前半部分講解現代電腦的基本原理與構造為主，而後半部分則是針對前面的知識來下了作業系統程式設計的實戰，而這部分的實戰，則是以Windows 作業系統程式設計為主，目的主要是銜接作業系統程式設計這個主題。   　　本書在設計上打破了傳統教科書的設計，以淺顯易懂的語言文字來描述內容，能輕鬆學

會作業系統的基本概念，進而投入產業發展建設國家。

二維材料電阻式記憶體與1T1R結構之研究

為了解決快取記憶體目的的問題，作者王子珩 這樣論述：

隨著AI與IoT日漸普及，存儲裝置的需求也與日俱增，然目前傳統存儲裝置並無法應付這樣的的需求，例如快閃記憶體苦於耐用度不足，而快取記憶體雖有足夠的存取速度但容量太小等。因此，新型態記憶體的需求因應而生，目前最受矚目的一群稱為SCM (Storage Class Memory, 儲存級記憶體)，其特色是不俗的存取速度與較以往快取記憶體更大的容量，而電阻式記憶體(RRAM)便是其中一員。和傳統記憶體相比，RRAM的優點有記憶密度大(NOR FLASH的2-4倍)、高操作速度(~140MB/秒)與更好的耐用度(>106次)等。RRAM一般常用的材料主要為TMO (Transitional Meta

l Oxides, 過度金屬氧化物)，並以此組成MIM(金屬-半導體-金屬)的三明治結構，並確立了RRAM的特性指標，以此為根基，學者們開始找尋替換新材料的可能性。隨著近年材料科學的蓬勃發展，二維材料一躍而上映入人們的眼簾，也開始有研究團隊應用二維材料來製作RRAM，例如h-BN, MoS2和MoTe2等。二維材料的主要製備可以透過CVD沉積與機械剝離法，而在本篇論文中則以機械剝離法為製作方法，並佐以其他製程來測試製作元件在不同環境下的表現。首先，我們將以二硫化鉬作為主動層材料，而後透過常溫量測得到的數據找出面積對於元件開關比的關聯性，更進一步以變溫量測探討電阻值的改變，以及判斷其電流傳導特性

等。其後我們亦將材料替換為六方氮化硼並發現其導電特性由於屬於較高能階材料之緣故，與二硫化鉬有所不同。而後我們發現機械剝離法材料有較嚴重的高阻態漏流問題，並透過文獻回顧發現是由於缺乏晶格邊界缺陷導致，為了優化機械剝離法RRAM的電特性，我們希望通過製程方法在材料中製造缺陷，並解決切換時機械剝離法元件的漏流問題，以此將兩種方法的優點結合起來。在本文中，我們將透過使用RIE使得MoS2表面氧化並充斥缺陷的方法。如此一來，我們可以模擬CVD元件的晶格邊界並提高元件的開關比。在製作單顆RRAM成功並確立其標準電性後，我們便試著將其與二維材料電晶體串接，形成一個獨立的量測單元，並觀察其在電晶體作為限流器的

情形下兩者的匹配程度與RRAM是否仍能正常運作，並在後續透過其他製程手段例如氧化電漿製程與材料堆疊等成功解決兩者匹配性的問題。