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快取記憶體原理的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦莫力全KyleMo寫的 今晚來點Web前端效能優化大補帖:一次搞定指標×工具×技巧,打造超高速網站(iThome鐵人賽系列書) 和張書寧的 PB硬碟時代必備技法:精解檔案系統技術及應用都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自博碩 和深智數位所出版 。

國立臺灣大學 電子工程學研究所 吳肇欣所指導 王子珩的 二維材料電阻式記憶體與1T1R結構之研究 (2020),提出快取記憶體原理關鍵因素是什麼,來自於二硫化鉬、電阻式記憶體、1T1R結構、氧電漿轟擊、低功率切換元件、材料改質。

而第二篇論文國立臺灣科技大學 電機工程系 呂學坤所指導 陳昊揚的 適應性錯誤更正碼快取技術以提升三維快閃記憶體之可依賴性 (2019),提出因為有 適應性、錯誤更正碼、快取、快閃記憶體、三維快閃記憶體、可依賴性的重點而找出了 快取記憶體原理的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了快取記憶體原理,大家也想知道這些:

今晚來點Web前端效能優化大補帖:一次搞定指標×工具×技巧,打造超高速網站(iThome鐵人賽系列書)

為了解決快取記憶體原理的問題,作者莫力全KyleMo 這樣論述:

針對「前端效能優化」技巧最全面的中文書籍!   精通前端基礎和優化技術,為你打造高效能網站!     本書內容改編自第 13 屆 2021 iThome 鐵人賽,Modern Web 組冠軍網路系列文章──《今晚,我想來點 Web 前端效能優化大補帖!》。本書彙整了網頁前端應用效能優化的各種技巧,並以此為出發點,延伸至許多前端領域必備的知識。搭配簡易圖文和範例檔實作,讓你打造高效能的前端應用,解決網站效能痛點,提升速度與使用者體驗,增加網站曝光率與流量!     四大重點     ▍小細節讓效能UP   除了依賴指標,還要從對的地方著手!     ▍前端開發必備心法   用對優化工具和技術

,提升效能&使用者體驗。     ▍深入技術原理   介紹前端技術原理,精通前端應用知識。     ▍提供完整範例檔   跟著實作範例學習,強化前端優化技能!     精彩內容     ●認識 Core Web Vitals、RAIL Model、Lighthouse 等指標和效能監測工具,找出效能不足的地方。     ●建立前端必備知識:瀏覽器架構與渲染流程、網路與快取、JavaScript 記憶體管理機制,並學習正確的圖片資源、檔案壓縮與打包技術。     ●在不同情境下使用正確的優化技術:Code Splitting、動態載入、Tree Shaking、模組化技巧、Web Wor

kers 與 WebAssembly。     ●使用 DevTool 檢測網站效能、實作 Debounce 與 Throttle,達到網站節流。     目標讀者     ✦想要了解各種效能優化技巧的前端開發者   ✦想要更理解前端開發底層知識的開發者   ✦想了解前端開發近期發展與未來趨勢的讀者   專業推薦     「不論是剛入門的工程師或者資深工程師,都可以在這本書得到不同階段的啟發並且應用在實戰當中。」──── Verybuy Fashion 資深前端技術總監│Bingo Yang     「作者將業界所交流的各式各樣經驗,在這本書中一次性地統整起來,不僅僅只是教你效能優化的技巧,甚

至帶著你從歷史淵源、使用者面向、網路傳輸、渲染機制等不同角度來看效能。」──── 適才科技技術長 & Web 實驗室社群發起人│KK     「前端領域的發展十分迅速,很難得有作者用心將這些知識整理成書,帶領讀者從發現問題開始,了解背後原因與需求、實作練習,以及在每章節附上延伸學習的資源。」──── Design engineer@PicCollage│Lichin     「這本書深入淺出說明效能優化的各道題目,篇篇精彩有趣。除了從遠古到現今的技術解析和優劣比較,並且圖文並茂、附上實戰實例,讀起來讓人欲罷不能。」────《 打造高速網站從網站指標開始 》、技術部落格「Summer。桑

莫。夏天」作者│Summer  

二維材料電阻式記憶體與1T1R結構之研究

為了解決快取記憶體原理的問題,作者王子珩 這樣論述:

隨著AI與IoT日漸普及,存儲裝置的需求也與日俱增,然目前傳統存儲裝置並無法應付這樣的的需求,例如快閃記憶體苦於耐用度不足,而快取記憶體雖有足夠的存取速度但容量太小等。因此,新型態記憶體的需求因應而生,目前最受矚目的一群稱為SCM (Storage Class Memory, 儲存級記憶體),其特色是不俗的存取速度與較以往快取記憶體更大的容量,而電阻式記憶體(RRAM)便是其中一員。和傳統記憶體相比,RRAM的優點有記憶密度大(NOR FLASH的2-4倍)、高操作速度(~140MB/秒)與更好的耐用度(>106次)等。RRAM一般常用的材料主要為TMO (Transitional Meta

l Oxides, 過度金屬氧化物),並以此組成MIM(金屬-半導體-金屬)的三明治結構,並確立了RRAM的特性指標,以此為根基,學者們開始找尋替換新材料的可能性。隨著近年材料科學的蓬勃發展,二維材料一躍而上映入人們的眼簾,也開始有研究團隊應用二維材料來製作RRAM,例如h-BN, MoS2和MoTe2等。二維材料的主要製備可以透過CVD沉積與機械剝離法,而在本篇論文中則以機械剝離法為製作方法,並佐以其他製程來測試製作元件在不同環境下的表現。首先,我們將以二硫化鉬作為主動層材料,而後透過常溫量測得到的數據找出面積對於元件開關比的關聯性,更進一步以變溫量測探討電阻值的改變,以及判斷其電流傳導特性

等。其後我們亦將材料替換為六方氮化硼並發現其導電特性由於屬於較高能階材料之緣故,與二硫化鉬有所不同。而後我們發現機械剝離法材料有較嚴重的高阻態漏流問題,並透過文獻回顧發現是由於缺乏晶格邊界缺陷導致,為了優化機械剝離法RRAM的電特性,我們希望通過製程方法在材料中製造缺陷,並解決切換時機械剝離法元件的漏流問題,以此將兩種方法的優點結合起來。在本文中,我們將透過使用RIE使得MoS2表面氧化並充斥缺陷的方法。如此一來,我們可以模擬CVD元件的晶格邊界並提高元件的開關比。在製作單顆RRAM成功並確立其標準電性後,我們便試著將其與二維材料電晶體串接,形成一個獨立的量測單元,並觀察其在電晶體作為限流器的

情形下兩者的匹配程度與RRAM是否仍能正常運作,並在後續透過其他製程手段例如氧化電漿製程與材料堆疊等成功解決兩者匹配性的問題。

PB硬碟時代必備技法:精解檔案系統技術及應用

為了解決快取記憶體原理的問題,作者張書寧 這樣論述:

☆★☆★【檔案系統技術精解!】★☆★☆ 了解所有檔案原理,技術內幕一網打盡!   檔案系統可以說是電腦軟體系統中最複雜的子系統,也是作業系統的基石,了解其中原理及應用可以幫助使用者解決各種類型的問題。檔案系統的實現與運算資源管理、記憶體資源管理、網路資源管理相互作用,了解這些充滿歷史的故事和智慧的技術方案不但實用,在深入學習電腦各種知識如AI、大數據時,心中更有底,知道考慮的重點是什麼。在網際網路與自媒體時代,知識的獲取變得容易和便捷,資訊的產生、多樣性和品質、獲得呈爆炸性增長。當今個人電腦的硬碟即將進入PB時代,雲端儲存更早就突破這個數字了。本書讓你有機會重新複習各大作業系統的檔案系統

,不管是Linux、MacOS或是Windows,一窺我們眼中已具體化的資料,是如何用0/1方式儲存在磁單位或電子單位中,而最新一代的網路檔案系統NFS、SMB,甚至更進一步的分散式雲端檔案系統GFS、CephFS、GlusterFS,甚至是Amazon S3系統,都收納至本書中,從本機到雲端,從雲端到分散,一覽無遺。   本書看點   ✪檔案系統的概念、原理和基本使用   ✪本地檔案系統的關鍵技術、原理介紹   ✪傳統網路檔案系統介紹   ✪分散式網路檔案系統介紹   ✪NFS及SMB   ✪CephFS和GlusterFS   ✪Amazon S3

適應性錯誤更正碼快取技術以提升三維快閃記憶體之可依賴性

為了解決快取記憶體原理的問題,作者陳昊揚 這樣論述:

快閃記憶體有著高密度、低成本與高可靠度等優點,使得消費性市場的需求量持續大幅成長。為了更加提高儲存密度與降低單位儲存成本,使得製程逐漸縮小,單位細胞的儲存資料量也逐漸提升,導致臨限電壓的間距愈來愈小,細胞與細胞之間的干擾也逐漸增加,導致可靠度與耐久度下降,為了解決這些問題,三維快閃記憶體被提出。由於存在製程變異,導致三維快閃記憶體的每一層之原始 位元錯誤率有所不同,在寫入清除次數於 10,000 時,將會有 6 倍多的差異,並且隨著寫入清除次數的增加與資料保存時間的增加,差異的倍數將持續擴大。而原始位元錯誤率的上升會造成資料發生錯誤的機率上升,為了解決這個問題,傳統上採用一致性保護,利用最差

狀況來進行錯誤更正碼的保護,對於三維快閃記憶體來說,為了保護最差的層,會對其它較好的層造成額外的浪費,不但浪費儲存空間,更強的錯誤更正碼保護能力會帶來額外的編解碼時間與效能損耗,並產 生過多的硬體成本。因此本篇論文提出適應性錯誤更正碼快取技術,利用三維快閃記憶體各層有著非常大的原始位元錯誤率差異,將各層群集成不同的層群組,並且配置對應強度的預設錯誤更正碼保護能力階級,能夠更加符合實際所需。另外隨著原始位元錯誤率的增加,本篇論文結合過去的研究所提出的修正餘度概念,能夠檢測編碼字是否需要額外的保護能力,提供適應性的錯誤更正碼保護能力階級,能夠提升三維快閃記憶體的可靠度與耐久度。另外結合過去的研究所

提出的快取概念,將提升錯誤更正碼保護能力所產生額外檢查位元,儲存到額外的靜態隨機存取記憶體,在三維快閃記憶體斷電時,能夠寫回三維快閃記憶體做永久儲存,並且再次啟動時,能夠讀回靜態隨機存取記憶體做使用,也能避免對三維快閃記憶體產生額外的空間浪費,並且避免需要分別讀取編碼字與額外檢查位元,增加寫入讀取 次數,並且對效能造成影響。本篇論文也開發可以模擬修復率的模擬器,並且對於有效良率、可靠度與硬體成本進行模擬與分析,並完成超大型積體電路的實現與佈局。從實驗結果可以 得知,本篇論文提出的方法與傳統上採用一致性保護方法在配置 20 位元錯誤更 正碼保護能力之下做比較,修復率能提升 20.05 %、有效良

率能提升 2.58%、硬體成本能節省 47.01 %,並且可靠度可以在 1800000 小時維持在 0.999。