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萬物理論（五版）

為了解決原子質量公式的問題，作者胡萬炯 這樣論述：

　　◎作者將自己英文原書中化學、地科以及生物部分的精華集結出版中文版本，與中文讀者分享科研成果。 　　◎本書與其姊妹作「統一場論」榮獲2021/4/17&2021/4/24國立教育廣播電臺「今天不看書」節目好書介紹推介並對作者做專訪，不看書用聽的了解此二書。 　　◎以本書向JJ 湯普生、拉塞福、查兌克、門德列夫、瑪莉居禮、洛倫茲、霍金、華萊士等大科學家致敬。 　　◎各大專業學者推薦，引起讀者好奇心，開啟另一方認識世間萬物本質觀點的佳作。 　　★★本書在2019年榮獲科技部與國立台灣師範大學舉辦科普力閱讀大賽指定書目★★ 　　★胡萬炯醫師/博士代表作，修訂第

五版，熱燒上市！ 　 　　本書含有重要化學、地科、生物和數理理論。 　　化學方面，提出一個以電力以及磁力為本，原子核中子質子交替排一列，中子視為質子與Pi-介子複合體解釋中子磁矩來源，原子核構造為質子-Pi-介子-質子排列解釋核力，中子或質子視為六個有色膠子和兩個中性膠子及一個Pi介子(含一個中性膠子)所構成，可完美獲得質子或中子質量為940MeV/c^2，統整了SU(2)核力和SU(2)弱作用，連結Pi介子和W/Z玻色子，而核外電子兩兩以自旋反向成對，以磁力抵銷靜電力，並以兩種相反方向運行物質波，成為駐波在同一平面繞原子核公轉，為決定性二維原子模型，解決了魔術數字2 8 8 18 18 3

2 32的電子組態問題，用此模型解釋斯特恩-革拉赫實驗。並依此新模型提出新的化學鍵理論。解釋為何雙鍵或三鍵位於同平面，而用電子分散四方滿足氯原子最外軌道駐波原理解釋為何CCl4或CH4是四面體。本書也提出熱膨脹機制、酸鹼機制、以及磁性、極性等元素特性等問題。作者用新普郎克空間的數量來定義熵，單位空間數量越多則亂度越大，並定義催化反應活化能也與此新定義的熵相關，並解釋熱力學第二及第三定律的成因。 　　地科方面，提出了依照新原子論與愛因斯坦-迪哈斯效應因角動量守恆影響電子自轉公轉使地磁產生以及地磁倒轉的原因，依光為重力波理論提出地震為地球內部急遽釋放出來的電磁輻射，以及用電荷相對論解釋龍捲風用旋

力解釋颱風的成因並解釋風眼的機制。 　　生物方面，用蛋白質世界理論及蛋白二級結構alpha-helix與beta-sheet的拉氏圖解釋同手性的起源，重新用表觀遺傳學討論拉馬克廢退說，用米蘭科維奇週期解釋地球生物滅絕的原因，解釋寒武紀大爆發的成因，用轉位子幫忙解釋生物在環境下的演化，意識、潛意識及潛意識與神經解剖學的關聯，糖脂質以及蛋白質密碼，還有用社會生物學解釋如同類不相殘解釋社會化生物德行源起，是不容錯過的好書。 推薦人 　　我們知道諾特定理有三個面向:位置與動量的對稱而為動量守恆原理、時間與能量的對稱而為能量守恆原理、以及角度於角動量的對稱而為角動量守恆。愛因斯坦只探討了前二者而忽

略角度，因此本書提出在近乎光速下角度的相對論變化，並據此推導出相對角速度加成公式，是十分的創見。－－國立中山大學機械與機電工程學系教授／朱訓鵬 　　胡萬炯博士異於一般人之豐富學經歷，除了本身所具備優異能力外，最主要原因應在於他對各種事物所持有的廣泛好奇心與興趣，以及一直以來在基礎理論知識上堅持與追求的執著。－－國立高雄大學化學工程及材料工程學系教授／呂正傑 　　本書作者胡萬炯博士以他在約翰霍普金斯大學受過嚴謹生物醫學邏輯思考做出發點，對地球數次發生的大規模生物滅絕事件提出他的解釋觀點。……經過邏輯推演思辯，作者認為米蘭科維奇循環的地球氣候變熱或變冷伴隨海平面上升下降是地球生物滅絕的主要原因

，這個理論相當精彩。－－國立臺灣師範大學生命科學系副教授／沈林琥 　　提出新原子論用以取代量子力學，並提出相應的新化學鍵理論。同時書中提出的新地震理論，相信對於地震預測會有所助益。而在生物方面本書則是對達爾文的演化論做了相當重要的補充。－－前中央研究院 基因體研究中心研究員、醣基生醫總經理／吳宗益 　　胡博士利用公餘時間，日積月累的研究各種科學理論完成這本著作萬物理論第五版，很高興他能完成此書。－－台北醫學大學、醫學工程學院院長暨教授／康峻宏 　　胡博士提出一個對決定性原子模型的新觀點，既能解釋原來量子力學的原理原則如角動量量子化以及包立不相容定理，又能避免量子力學在物理化學的詮釋問題。

－－國立中興大學化學系副教授／韓政良 　　他也綜合了蛋白質氨基末端的賴氨酸殘基甲基化、乙酰化、SUMO化和泛素化等機制的互相競爭而影響蛋白質最後的功能與歸宿，這都是有見地的觀點。同時也用萬物理論解釋了大地現象的改變，與物種的起源。－－前國家衛生研究院助研究員、現任藥騰有限公司執行長／柯屹又

原子質量公式進入發燒排行的影片

TLD-400熱發光劑量計應用於半導體輻射可靠度測試

為了解決原子質量公式的問題，作者鄭鈞威 這樣論述：

自從林口長庚的質子治療機開始運作之後，國內半導體輻射可靠度測試便可以開始在國內進行，大大的減少了測試的成本。其中半導體輻射可靠度測試又包含總游離劑量 TID 及單一事件效應 SEE 的測試。TID 效應屬於劑量累積所導致的效應，SEE 效應屬於單一粒子都有可能引發的機率性效應。在測試 TID 效應時除了需要清楚地得知半導體內的劑量沉積，也必須要考慮到射束品質及劑量率的影響，而測試 SEE 效應時，輻射通量的資訊是非常重要的，因此本研究欲找到一個參考劑量計，可以在做輻射可靠測試時監測劑量。TLD-400 的材質為氟化鈣，有效原子序 16.9，與矽的原子序(14)接近，可被視為矽等效材質，與半導

體材質接近，它同時也具有熱發光劑量計的優點，且靈敏度高，劑量線性範圍大，此外，目前已經有一篇由美國材料和試驗協會(American Society for Testing and Materials, ASTM)出版的報告可供參考。然而上述報告只針對鈷 60 光子射束進行校正，缺乏電子及質子。因此本研究會建立一套 TLD-400 的劑量計讀系統，其中會包含光子、電子及質子，並且建立一個可以量測矽及二氧化矽吸收劑量的數學模型，最後探討此熱發光劑量計之特性，並且將它應用到半導體輻射可靠度測試上。

人格的精神分析研究

為了解決原子質量公式的問題，作者費爾貝恩 這樣論述：

　　自1952年本書出版後，費爾貝恩對客體關係的重視已使精神分析學界把兒童對關係的需求視為發展的核心。他的客體關係理論闡述了一個精神結構模式，此一結構建立在兒童成長過程中與父母及重要他人相處經驗的內化和修改。同時他亦說明了自體(self)或自我(ego)如何在客體內化之後，以自我碎裂及潛抑痛苦內在客體關係等方式，去處理所有關係中皆無法避免的不滿足。   　　費爾貝恩的著作是許多學者研究的起點，如鮑比(Bowlby)的依附理論、剛特利普(Guntrip)和蘇特蘭(Sutherland)對自體的論述、狄克斯(Dicks)對婚姻的理解、肯柏格(Kernberg)對嚴重人格違常患者之治療、及米謝爾

(Mitchell)的關係理論等。費爾貝恩的觀念已成為精神分析的中心；以致常被視為老生常談，我們很難相信在他那個時代，對關係的需求並不被認為是發展與治療的重心。   　　這本古典的文集，首次以平裝本發行，附有大衛．夏夫(David E. Scharff)與艾莉諾．費爾貝恩．比爾特斯(Ellinor Fairbairn Birtles)合寫的一篇緒論，這篇文章追溯費爾貝恩思想的起源並概述與現代理論的相關性，讓讀者對費爾貝恩的作品有新的認識。   本書特色   　　★費爾貝恩（1889-1964）出生於蘇格蘭愛丁堡，是英國獨立學派之精神分析理論的重要奠基者，對客體關係理論之發展有著深刻的影響，被譽

為「客體關係理論之父」。   　　★在費爾貝恩的理論中，「關係」始終是人類心理和經驗的中心，他認為原慾基本上在尋求關係，而不是如佛洛伊德所言，是尋求享樂滿足。   　　★費爾貝恩的觀點描繪了一幅不同於古典理論的心靈圖像，並啟迪了後來許多理論的發展。

以射頻磁控濺鍍技術沉積氮化鎵薄膜於矽基板之材料特性研究

為了解決原子質量公式的問題，作者吳世華 這樣論述：

本研究的主要目的是利用射頻磁控濺鍍技術，利用純金屬鎵在Si（111）基板上沉積氮化鎵薄膜。使用金屬靶材的主要優點是可以實現大面積製造，從而降低複合靶材的成本。AlN 已被用作緩衝層，其濺鍍參數經過多次沉積後已優化，然後在其上沉積氮化鎵薄膜。研究了 AlN 薄膜樣品的各種特性，最後沉積了 150 nm 厚的氮化鋁層並用作緩衝層。隨後是氮化鎵薄膜的沉積，使用純金屬鎵並將其放置在為濺鍍靶材的定制坩鍋內，且使用氮氣作為反應電漿氣體，並使基板溫度保持在600℃，最後使用射頻磁控濺鍍在 Si (111) 基板沉積300 nm厚之氮化鎵薄膜。最初氮化鎵也針對各種特性進行了優化，最後沉積和研究了 Si /

AlN / GaN 的異質結構。本研究進行GaN薄膜的結構、光學、形態和化學組成等各種特性分析探討。X射線繞射測量顯示 GaN (002) 晶相，2θ 約為 34.5°，而 FWHM 非常窄 (0.96 o)，強度也很高，這說明 GaN 薄膜的結晶品質很好。使用 PL 光譜研究了溫度在10-300 K之間變化GaN 薄膜的光學參數，在室溫下觀察到光譜幾乎消失，在PL光譜100K以下，在3.37 eV（367 nm）處明顯顯示出帶狀發射峰，與標準化合物GaN薄膜能帶相近（365 nm）。後續改變壓力後從 PL 光譜中觀察到黃色發光帶與藍色發光帶，這可能是由於隨著壓力的增加產生了不同的缺陷。使用

TEM 和 X 射線光電子能譜 (XPS) 研究了 GaN 薄膜，結果清楚地表明鎵與氮形成了良好的鍵結。綜上所述，從以上沉積條件和GaN薄膜的各種分析。研究發現射頻磁控濺鍍是一種合適的沉積方法，使用Ga金屬代替複合靶材可以形成高質量的GaN薄膜。結果還表明，GaN薄膜具有最佳性能。還可以理解，AlN 可以用作沉積 GaN 的緩衝層，並且可以獲得高質量的疊層。這些結果表明薄膜和疊層可用於製造各種 GaN 相關元件。