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半導體 製程演進的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦Sung-MoKang,YusufLeblebici,ChulwooKim寫的 CMOS數位積體電路分析與設計(4/e) 可以從中找到所需的評價。
中國醫藥大學 職業安全與衛生學系碩士班 王義文所指導 許詠怡的 高科技廠濕式蝕刻製程過氧化氫系溶液之不相容性熱分析 （2021），提出半導體 製程演進關鍵因素是什麼，來自於過氧化氫系蝕刻液、微差掃描熱卡計 (DSC)、熱危害特性、自昇溫速率。
而第二篇論文中華科技大學 經營管理研究所 洪儒瑤所指導 陳淑芬的 台灣DRAM產業的發展趨勢與機會研究 （2021），提出因為有 DRAM、策略、南亞科、華邦電的重點而找出了 半導體 製程演進的解答。
CMOS數位積體電路分析與設計(4/e)
為了解決半導體 製程演進 的問題，作者Sung-MoKang,YusufLeblebici,ChulwooKim 這樣論述：
本書涵蓋層面甚廣，包含半導體製程、元件模型、電路設計、製造測試等相關議題。前段內容可供一般學生建立有關超大型積體電路設計的基礎入門知識，而全書不僅可以使從事數位系統設計工程師了解底層標準元件電路知識，也能作為混合訊號/類比電路設計工程師建立高速積體電路設計之參考。 有關第四版的內容，作者除改寫當代半導體製程演進介紹外，亦採用短通道電晶體模型來推導相關電路特性，並刪除原有空乏型反相器電路範例，以虛擬nMOS反相器替代，以符合現今主流的次微米／奈米製程電路設計。記憶體章節亦部分改寫，增加低電壓SRAM介紹；BiCMOS章節則改為算術運算單元電路介紹；時脈產生章節也增加
鎖相迴路與延遲鎖定迴路簡介。此次內容的更新，使得本書得更趨於完整且符合時代之潮流。 本書改版特色 ‧本書內容旨在強化學生對數值方法的認知，除了維持前版優點，盡可能讓內容適合大學部學生使用。 ‧透過問題導向方法引起學習動機，促進良好的學習效果。 ‧Visual Basic、Fortran 90與C/語言引導學生自行開發結構化且簡單的程式，以彌補現有軟體的不足。 ‧更新更具挑戰的題組、題材及案例探討。
高科技廠濕式蝕刻製程過氧化氫系溶液之不相容性熱分析
為了解決半導體 製程演進 的問題，作者許詠怡 這樣論述：
隨著高科技產業發展日益迅速及蓬勃，因應半導體及光電面板等產業之製造需求，常將危害性化學品應用於製程中進行化學反應，進而促使危害性化學品越來越廣泛且更加複雜，若於使用或以管線運輸危害性化學品之過程中忽略工程防護與安全管理，即可能導致嚴重之事故或意外。 目前高科技廠因過氧化氫分解之產物僅為水及氧氣以及其強氧化性等特性，常被添加於蝕刻液中製成過氧化氫系蝕刻液，如 SPM (Sulfuric acid and hydrogen peroxide mixtures) 及 HPM (Hydrochloric acid and hydrogen peroxide mixtures) 等應用在蝕刻製程中；
然而，當過氧化氫與強酸或金屬離子等不相容性物質接觸便可能立即觸發或產生劇烈放熱反應，進而導致事故發生，因此蝕刻製程於過氧化氫與酸混合程序或不慎與不相容性物質接觸所產生之放熱現象皆可能為其製程風險之來源。本研究將先針對 30、50 及 60 wt% 過氧化氫進行本質熱分析，確認其熱危害特性；接著探討以 30 及 50 wt% 過氧化氫配製而成之過氧化氫系蝕刻液 SPM 及 HPM 之熱危害；再添加約 1 wt% 之不相容性物質（銅粉 (Copper powder, Cu)、氯化銅 (Copper chloride, CuCl3)、硫酸銅 (Copper sulfate, CuSO4)、氯化鐵 (
Ferric chloride, FeCl3)、氧化亞鐵 (Iron oxide, FeO) 及二氧化鈦 (Titanium dioxide, TiO2)）於 SPM 及 HPM 溶液中進行不相容性測試，並藉由微差掃描熱卡計 (Differential scanning calorimetry, DSC1) 進行昇溫掃描實驗取得物質之放熱圖譜及製程反應熱危害之相關參數（如放熱起使溫度 (T0)、放熱峰值溫度 (Tp) 及反應分解熱 (ΔHd) 等），篩選危害程度較高之樣品進行動力學之計算及以 C++ 軟體模擬自昇溫速率。
台灣DRAM產業的發展趨勢與機會研究
為了解決半導體 製程演進 的問題，作者陳淑芬 這樣論述：
由於記憶體產業已發展了五十年以上，由早期的百家爭鳴到現在僅剩三大兩小的記憶體公司，這是經歷過了數次的產業循環及大大小小的整併，尤其是在2008 年的金融海嘯，雖然台灣政府推出TMC (TAIWAN MEMORY COMPANY)台灣創新記憶體公司，嘗試整合台灣記憶體產業資源，希望整合弱小的台灣公司再引入爾必達技術共同迎戰強敵，但因為各公司自身利益考量，終至無法成功，直到演變現今成為三星、海力士、美光集團(三大) 及 南亞科、華邦電(兩小)。回顧DRAM產業的歷史，台灣曾經有過輝煌的表現，不過目前僅南亞科技、華邦電子仍持續活躍在DRAM市場。
本研究根據資源基礎理論，試圖在歷經大風大浪的DRAM產業探索及研究。歷經數十年的演進，全球DRAM產業已形成寡佔的結構，台灣曾經佔有一席之地的DRAM產業到現在僅存的5%市佔率，除了選擇高利潤的應用產品以外，與現三大製造商的策略聯盟及掌握未來新應用的商機藉以融合台灣現有的優勢，找到有競爭性的利基型市場。本研究採用資料蒐集方法，透過 TOWS 分析及六力分析以產業分析架構來分析DRAM產業進行資料研究，從產業面探索市場供需及各廠商針對未來的研發策略取得最佳的競爭優勢。研究結論如下:1.以TOWS分析，DRAM需求成長比擴產快，且有5G、AI、物聯網及車用新商機，其發展可期; 2.根
據產業六力分析，台灣DRAM產業在全球競爭架構下，有其獨特優勢，DRAM三大陣營競爭已趨穩定，台廠規模雖不大，但具不可替代地位，有良好發展機會; 3.依據DRAM 產業趨勢與供需分析，台灣DRAM廠商具有良好發展前景。最後，對政府政策提出建議:目前台灣半導體科技產業在台擴廠、投資，產業五缺問題(缺水、缺電、缺工、缺人才、缺土地)的狀況，應糾合各相關部會有效解決。關鍵字：DRAM、策略、南亞科、華邦電