光纖通訊的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

通訊系統原理(第三版)

為了解決光纖通訊的問題，作者李肇嚴  這樣論述：

　　本書內容可分三個部分：第一部份包含信號分析、調波原理、數位傳輸與多工通信；第二部份包含發射機、接收機、電波、天線、微波；第三部份為光纖通訊、衛星通訊及勘誤編碼術，內容力求配合我國教育體系與尖端科技之社會需求，是一本適合大學、科大電子、電機系，作為「通訊系統」課程的導論性書籍。 本書特色 　　1. 以通俗的說明，達到深入淺出的效果。 　　2. 以頻域與時域交互闡釋，貫穿類比與數位通信的理論。 　　3. 引進新知，跟上時代脈絡。 　　4. 適合大學、科大電子、電機、資工、通訊系「通訊系統」課程使用。

光纖通訊進入發燒排行的影片

可靠度預估與可靠度驗證之研究-以光纖模組為例

為了解決光纖通訊的問題，作者鄒璦羽 這樣論述：

本研究透過某上市科技生產之光纖模組進行其可靠度加速老化測試。期望從環境應力(如:高溫循環、高溫濕度操作、冷熱交錯衝擊....等)進行實證測試驗證，運用適當的環境應力了解加速壽命之關係為何，並使用適當的環境應力進行加速壽命測試。經由此預估了解其光纖模組平均失效時間(Mean Time Between Failure,MTBF)，再以實質上驗證加以確認光纖模組的平均壽命是否符合客戶需求。本論文以個案公司製造之光纖模組為研究對象，起先使用美軍軍規手冊(MIL-HDBK-217F)與零件規格書(Data Sheet)預估平均失效時間(MTBF)。光纖模組最後以高溫循環及老化作為加速壽命測試，實驗條件

高溫老化為+85℃及濕度75%RH作為加速壽命測試，以觀察光纖模組是否有失效特性發生，以其鑑定光纖模組平均失效間隔(MTBF)是否吻合要求。美軍軍規手冊(MIL-HDBK-217F)預估的平均失效間隔(MTBF)為412,611小時與零件規格書(Data Sheet)預估的平均失效間隔(MTBF)為278,570小時，相差134,041小時，經由383小時的加速壽命測試後零故障率通過客戶所需的規格，顯示出研究中所設置的可靠度測試環境所能負載規格可執行運作。綜上所述，本論文運用可靠度預估及可靠度實證鑑定方法，這過程中可得知光纖模組壽命範圍並可使用在產品設計與產品生產時的範本，以確保光纖模組的穩定

性及可靠度，過後其他產品也可以使用此方式，對產品商業化有一定的幫助。

工程材料科學(第三版)

為了解決光纖通訊的問題，作者洪敏雄,王木琴,許志雄,蔡明雄,呂英治,方冠榮,盧陽明 這樣論述：

　　本書的作者都是目前在各大學任教的老師，我們依個人的專長，分別負責相關章節的撰寫，因此可以對材料科學基本的理論與應用作最適當的詮釋，適合大一、大二同學作為材料入門的教科書，而對工程材料有興趣的在職工程師們也可以作為自修參考之用。 　　本書的內容與一般材料科學概論最大的不同與特色，是本書的規劃與撰寫係針對台灣的讀者之需求，尤其與台灣近年來高科技產業發展與材料人才的專長需要相呼應，對電子、光電及奈米科技發展所需的材料知識都有深入淺出的介紹。 　　本書內容涵蓋的範圍很廣，從最基本的材料中原子鍵結與晶體構造與缺陷談起，逐步擴展到相圖，相變化現象的介紹，再談到材料的變形與破壞、

材料的強化、加工與應用，目的在為讀者打下材料科學深厚的基礎。而在工程材料上，對鋼鐵材料的冶煉，輕金屬的加工製造、陶瓷與高分子材料之特性，都作了詳細的介紹，尤其對熱門的光電、電子、奈米科技等更加入了作者的研究心得與工作經驗。 　　材料科學目前全世界都很熱門，台灣材料人才更是不足，我們希望本書對培養高科技材料人才有所助益，對產業技術的升級，貢獻綿薄之力。 本書特色 　　1.本書的規劃與撰寫係針對台灣的讀者之需求，尤其與台灣近年來高科技產業發展與材料人才的專長需要相呼應，對金屬、陶瓷、高分子、電子、光電及奈米科技發展所需的材料知識都有深入淺出的介紹。 　　2.本書內容涵蓋的範圍很廣，從最基本

的材料中原子鍵結與晶體構造與缺陷談起，逐步擴展到相圖、相變化現象的介紹，再談到材料的變形與破壞、材料的強化、加工與應用，目的在為讀者打下材料科學深厚的基礎。 　　3.工程材料上，對鋼鐵材料的冶煉，輕金屬的加工製造、陶瓷與高分子材料之特性，都作了詳細的介紹，尤其對熱門的電子、光電、奈米科技等更加入了作者的研究心得與工作經驗。 　　4.本書對材料科學基本的理論與應用作了最適當的詮釋，對工程材料有興趣的在職工程師們也可以作為自修參考之用。  

絕緣體上鈮酸鋰薄膜光電元件製程開發與應用 - 電光調製器

為了解決光纖通訊的問題，作者楊博智 這樣論述：

薄膜鈮酸鋰 (TFLN) 調製器有望成為實現下一代光通信系統所需的超寬調製帶寬的理想元件，自從光纖通信出現以來，鈮酸鋰（LN）一直是電光調製器最好的材料。然而，傳統的 LN 調製器體積龐大、價格昂貴且耗電，無法滿足需求。製作在晶片上的 TFLN 調製器可以解決這個問題，但在 TFLN 中製造低損耗元件不是一件簡單的事。在這裡，我們成功製作了 LN 電光調製器，該調製器比傳統的塊狀 LN 元件小很多且效率更高，同時保留了 LN 的優異材料特性。在量子領域，我們可以透過鈮酸鋰優異的電光效應，減少製程誤差對量子邏輯閘造成的影響，甚至可以搭配其他 LN 製程，製造量子光源，並將光源與邏輯閘整合至單晶

片上，實現 System On Chip 的理想。 本實驗根據不同的鈮酸鋰波導備置方法進行系統性測試，並嘗試將其改良成本實驗室製程設備允許的條件，以利本實驗室自行製作低損耗的 LNOI 波導。在元件方面，我們以 I-line 曝光機、PECVD、ICP-RIE、離子佈植機、PVD 等半導體相關技術，製造直波導以及帶有電極的 Mach–Zehnder Modulator (MZM)，製作不同寬度之直波導，分別對其進行量測，在直波導的製作基礎下，利用鈮酸鋰的優異電光效應製作電光調製器，並將其應用在 MZM 上。 波導製程方面，分為兩部份，第一部份是利用 ICP-RIE，以 Argon 離子進行物理

性蝕刻的 Ion Etching，第二部份是利用離子佈植的 IBEE(Ion-beam enhancedetching)。其中，我們以 IBEE 製程成功在鈮酸鋰薄膜上製作出寬度 1~3um，蝕刻深度 380nm，蝕刻側壁接近 90°，總長 0.5cm 的脊型波導，搭配端面拋光的技術，並以側邊耦光的方式，測量其模態及損耗，在 TM 偏振下，3、2、1.5um 波導的傳波損耗分別為 7.16dB/cm、6.76dB/cm、5.65dB/cm；在 TE 偏振下，3、2、1.5um波導的傳波損耗分別為 3.6dB/cm、7.87dB/cm、3.96dB/cm。 另一方面，我們製作帶有電極的 MZM

結構，並對其單臂進行電光調製，調製臂長為 1mm 的調製器，測得其 Vπ 為 50V，對應的電壓長度乘積為 5V·cm。ii 在未來，能夠將傳統的塊狀 LN 調製器以 TFLN 製作的電光調製器取代，能夠有效縮小元件尺寸，若搭配 CMOS 晶片驅動電壓，可作為光纖通訊裡的重要元件，因其優於矽基材料的特性，TFLN 具有更多優勢，有機會在 TFLN 上實現光量子邏輯閘及量子光源。