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六大動詞，10天速成英語表達：多益考高分還是不敢說?本書幫你開口說，對方秒懂

為了解決二開關接法的問題，作者周昱葳（葳姐）,李存忠（Mitch）,吳惠怡（Flora）、,林宜珊（Amy） 這樣論述：

　　連大人都想排隊報名的「葳姐親子英語共學」版主葳姐領軍！ 　　橫跨金融、電子科技、英語教學界最強專業師資群！   　　★隨書附贈！發音示範！QR Code線上音檔，現學現說！   　　◎please代表請，但如果說：「Give me some water, please.」你就會被當成奧客。 　　◎別再跟部屬說：Do you understand?（你懂我意思嗎？）， 　　更好的說法是：Do you get it? 　　◎點餐要用哪個動詞？別用order，你得說：I’d like to have… 　　◎say、tell、talk，都是「說」，用法差在哪？see、look、watch，又

該怎麼分？   　　本書作者周昱葳（葳姐），成立「葳姐親子英語共學」線上平臺近5年， 　　因為簡單說故事，且具有MBA商學院背景， 　　她設計的英語線上課程，實用到連大人都搶報名。   　　本書從心智圖、片語動詞、時態變化、助動詞、基本句型， 　　搭配超過200組的生活例句、實戰練習題， 　　告訴你，英文要學好，這6個動詞就夠了！   　　◎ 六大動詞，10天英語表達能力速成      　　介紹六大動詞：be、have、do、say、get、make， 　　教你用你早就會的簡單動詞，食衣住行玩，完整表達自己的想法、經驗。   　　問同事午餐哪裡吃？have lunch比eat lunch更道地

！ 　　like只代表喜歡？美國明星泰勒絲曾在致詞典禮上，提到了20次的like。 　　本書特別收錄like六大用法 ╳ 大明星金句 ╳ 獨創心情溫度計（第4天）。      　　◎ 職場、考試、生活，一定會用到的動詞   　　用圖像式記憶，教你從核心字義掌握，一學就懂！例如：   　　‧打開（關掉）電視，用open（close）？正確是：turn on（turn off）。 　　‧交報告怎麼說？你可以用turn in the report，或是submit the report。 　　‧take（拿） ＋ off（離開）＝請假： 　　I want to take two days off.（

我想要請假兩天。） 　　‧搭公車用get on、搭乘計程車則是用get into。 　　‧倒垃圾、外帶食物，都是用take out。   　　◎ 職場英文好好聊！疑問詞＆附加問句   　　只要用5W1H，就能輕鬆打開話匣子，跟別人聊不停！例如： 　　Who’s calling?（電話中，請問你是誰？） 　　Who will join us?（誰會跟我們一起去？） 　　When will the meeting start?（會議何時開始？） 　　還有3個聊天萬用句，教你提出邀約、建議、詢問意見： 　　What／How about、Why don't you、What if。   　　萬用句型公

式 ╳ 使用率破表的片語動詞 ╳ 文法急救包 ╳ 13首流行歌曲， 　　幫你立刻開口說，對方馬上懂。   名人推薦   　　歴任友達光電及台達電集團人資長／林瑞娟 　　自媒體創作者、TESOL認證ESL教師／倉庫的女人Claire 　　YouTuber、英語學習推廣家／Catherine 　　《通勤學英語》Podcast主持人／John老師 　　Ricky英語小蛋糕

二開關接法進入發燒排行的影片

少數層二硒化鈀之電性傳輸與熱電性質

為了解決二開關接法的問題，作者李天任 這樣論述：

尋找高效率的熱電材料是一個重要而有趣的課題，二維 (Two-Dimensional, 2D) 過渡金屬二硫化合物 (Transition Metal Dichalcogenides, TMDC)，因其優越的熱電性能以及未來廣闊的應用前景而受到廣泛關注。其中，二維二硒化鈀 (PdSe2) 因其理論上計算出高熱電性能，吸引了眾多科研工作者的目光。本實驗使用機械剝離法，剝取少數層PdSe2，利用半導體製程技術製作少數層二硒化鈀的場效電晶體與熱電元件，在室溫下研究了二硒化鈀的電性。本實驗中，二硒化鈀為n型半導體材料，電流的開關比 (On/Off Ratio) 約爲104，臨界擺幅 (Subthre

shold Swing, S.S.) 約爲9.52 V/dec，載流子遷移率 (Mobility) 最大為34.7 cm2·V-1·S-1。 另外，在二硒化鈀元件的熱電性能測量上，得到的最大席貝克係數約爲655 µV/K，與理論值十分接近，並觀察到席貝克值與電晶體場效應有關聯性。當閘極偏壓設定在臨界電壓附近時，席貝克係數到達峰值，而當閘極偏壓小於臨界電壓時，通道關閉沒有熱電效應。最後計算了二硒化鈀的熱電功率因子(Power Factor, PF)，通過調節閘極偏壓觀察熱電功率因子隨場效應的變化，並對比相應的材料層數，發現最大熱電功率因子為0.26 mW/m·K2，材料厚度為12層，證明二硒化鈀

是極具潛力的熱電材料。

治咳寶典【2022增訂版】：臨床38年名醫-預防與照護感冒、流感、黴漿菌感染、新冠肺炎和各種肺炎必讀

為了解決二開關接法的問題，作者羅仕寬,羅際竹 這樣論述：

【最新增訂】長新冠八大QA一次看懂 　　★咳嗽需要吃藥嗎？一直咳不停怎麼辦？每次感冒都很嚴重？ 　　事實上，「咳嗽」多半是感冒加上原本無症狀細菌感染有關，而感冒只是一個啟動咳嗽的開關。尤其，健康良好的少數感冒病人，常常2~3天之後就大幅好轉，是不會有咳嗽症狀的。特殊的是，大部分咳嗽原因是支氣管被「黴漿菌」感染到引發的，而黴漿菌是一個從恐龍時代至今成功繁衍不息的古老細菌，是羅仕寬醫師數十年來從高倍顯像顯微鏡發現的鐵證。 　　感冒病毒引發自身免疫反應，讓黴漿菌有機會趁機大量繁殖。如果沒有正確的診斷加上正確的治療與正確的保養，輕症就是變成慢性咳嗽，重症患者再併發更多細菌感染，例如：肺炎鏈球菌

、金黃色葡萄球菌、綠膿桿菌等等，開始嚴重咳喘有黃綠膿痰，容易病情惡化成肺炎、肺浸潤、肺纖維化、阻塞性肺炎……。 　　事實的真相是，無論大小感冒造成咳嗽最常見的主力細菌軍就是「黴漿菌」，重症會嚴重到造成肺炎、肺浸潤，甚至危及生命！ 　　★揪出慢性咳嗽的真相：感冒一直咳，多半是黴漿菌惹的禍 　　感冒會不會咳嗽？其實跟黴漿菌有直接與間接的關係。黴漿菌本身就可以引起咳嗽，又會加重各種會引起咳嗽的病毒細菌感染，尤其今日大家在新冠肺炎的威脅之下，真的需要詳細了解黴漿菌為什麼這麼厲害？控制好黴漿菌，還可以幫助大家渡過新冠肺炎感染呢！ 　　十幾年來透過顯微鏡觀察與臨床實務，加上飲食習慣和生活環境的比對下

，羅醫師發現：1.絕對多數咳嗽病人，血液內黴漿菌數量很多；2.任何一人咳嗽，全家就會被感染；3.腸胃健康幾乎都不太好，竟然多是澱粉惹的禍；4.飲食材屬性不忌口，讓腸胃虛冷或發炎；5.生活環境狹小潮濕、常又通風不良等5大原因，影響著一個人感冒以後會不會咳嗽與嚴重程度。 　　★耳鼻喉科醫師無私分享臨床38年整合醫學心得 　　咳嗽的保養還是要從整體健康著手，如果你常常容易咳嗽，代表你容易被各種呼吸道的病毒細菌感染，並因此留下後遺症，主要原因就是免疫防護力不足，也就是你的健康有不足之處，需要全方位的保養，才能夠真正遠離呼吸道感染咳嗽的威脅。為此，羅醫師特別分享他38年整合醫學的臨床心得： 　　●其

實感冒藥不用吃，絕大多數是白吃了！ 　　●感冒初期，每小時吃1次維生素C配大量溫水，有效緩減感冒不適。 　　●感冒時，每天刷牙3~5次，降低喉嚨反覆感染的機會。 　　●感冒時，每天洗鼻子4~5醤，有助清除和稀釋鼻咽腔內黏著的病毒細菌。 　　●感冒時，吃好油、海鹽，拒絕白糖、白麵粉、白飯，免疫自然好。 　　●洗手後，順便清洗鼻孔內側長鼻毛的地方，有效預防呼吸道疾病。 　　●預防感冒，減少白色澱粉和糖攝取量，例如麵粉、白米、精緻糖和所有甜食。 　　●鼻孔勤擦護唇膏，不只保濕，還可以減少病毒入侵的機會。 　　●每晚睡前用10CC苦茶油、椰子油漱口15分鐘殺菌，降低身體感染。 　　●蛋白質攝取量占一日

飲食的3分之1，身體負擔輕，感冒自然遠離。 　　●每天攝取10~20CC的紫蘇油、亞麻仁油或印加果油，減少發炎指數。 　　●不吃煎炸烤的食物，多吃辛香料、五顏六色蔬菜和有酸味的水果。 　　●搭乘大眾運輸工具後，閉著眼睛遠遠地朝臉、頸、頭髮、袖口噴酒精消毒。 　　●勤洗手，盡量不亂碰任何公共地方的把手、按鈕。 　　●公共場合戴口罩，手不亂摸口罩。 本書特色 　　★從感冒、流感、黴漿菌肺炎，到新冠肺炎的治咳寶典 　　★揪出慢性咳嗽的真相：感冒一直咳，多半是黴漿菌惹的禍 　　★久咳不癒、慢性咳嗽、一感冒就咳嗽、免疫力低下的救星 　　★耳鼻喉科醫師無私分享臨床38年整合醫學與預防醫學心得  

二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決二開關接法的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的

記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。