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國立彰化師範大學 電信工程學研究所 何明華所指導 湯坤樺的 縮小化設計之高訊號選擇性基板合成波導腔體帶通濾波器 (2018),提出wall fence designs i關鍵因素是什麼,來自於基板合成波導腔體、縮小化濾波器、高訊號選擇性濾波器、半模態濾波器、三頻帶通濾波器。

而第二篇論文國立彰化師範大學 電信工程研究所 何明華所指導 洪翊豪的 基板合成腔體結構之雙工電路、帶通濾波電路、雙工濾波天線與耦合電路設計 (2015),提出因為有 基板合成腔體、帶通濾波器、雙工濾波天線、耦合器的重點而找出了 wall fence designs i的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

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縮小化設計之高訊號選擇性基板合成波導腔體帶通濾波器

為了解決wall fence designs i的問題,作者湯坤樺 這樣論述:

本論文旨在探討以基板合成共振波導腔體結構設計高訊號選擇性和縮小化濾波器以及多頻帶通濾波器。基板合成波導腔體結構概念出自於傳統金屬共振腔體,改良自基板合成波導,差異在於基板合成波導腔體使能量在介質中傳輸,將能量鎖於其中而不流失。基板合成波導具有低損耗、低輻射以及高品質因素等優點,結構已經被廣泛的利用在微波電路上,而基板合成波導腔體也承襲了這些優點,並改良成更簡單設計、更容易與其他電路作結合之電路結構。第一種電路設計理念為高訊號選擇性和縮小化設計,架構有兩個設計,分別是利用負耦合產生零點之圓腔體濾波器以及半模態設計之矩形濾波器。圓腔體濾波器以四個基板合成波導結構來建構圓形共振腔濾波電路設計,設計

上在上下二基板間加入大圓盤,圓盤下方接鼠籠式的埋孔接地達到降頻的效果。輸入端與輸出端之間加入上下金屬刻蝕互補的S形槽來產生負耦合,根據交叉耦合相關理論,分別在其通帶的兩側裙襬各產生一個傳輸零點,以此來達到提高訊號選擇性的目的。另一半模態電路設計的結構延續著全模態[18]的概念而設計的,進一步地將兩層的微波基板再對折,使得此電路有四層基板,並再更進一步將邊界條件改為一邊短路、一邊開路,因基板合成波導具有水平垂直之對稱性,而這電路在圓盤中心垂直的切開一半,電場最強之處在電路特性上視為開路,所以在邊界條件上並無改變使電路能保有原本特性,亦能使電路達到更縮小化之效果。第二種電路為三頻帶通濾波器,其架構

以金屬圓柱圍繞成矩形之共振腔體,腔體內設置三片扇形金屬圓盤圍成一圈並以金屬銅柱將其短路接地,藉由改變其電場分布使頻率大幅降低並大量的減少電路面積,每片扇形金屬圓盤分別通過不同數量之短路銅柱接地,以產生三個不同的頻率,且讓兩個相同腔體上下相疊,使其成為二階濾波電路。

基板合成腔體結構之雙工電路、帶通濾波電路、雙工濾波天線與耦合電路設計

為了解決wall fence designs i的問題,作者洪翊豪 這樣論述:

本論文旨在探討以基板合成共振腔體結構設計雙工電路、帶通濾波電路、雙工濾波天線與耦合電路。基板合成腔體結構概念出自於傳統金屬共振腔體,改良自基板合成波導,差異在於基板合成腔體具有完全封閉空間使能量順利在介質中傳輸,將能量鎖於其中而不流失。基板合成波導具有低損耗、低輻射以及高品質因素等優點,結構已經被廣泛的利用在微波電路上,而基板合成腔體也承襲了這些優點,並改良成更簡單設計、更容易與其他電路作結合之電路結構。本文第一種電路架構為三個共振腔體的雙工濾波器,分別在兩兩共振腔分界邊上各設計一耦合開口,分別將腔體內之能量利用耦合開口相互傳輸,即耦合至不同的相鄰腔體內。依據腔體內生成之簡併模態(degen

erate mode)來設計端口與耦合開口位置,並利用三個腔體之結構設計可以使雙工端傳輸時不會互相干擾,提升電路隔離度。第二種電路架構是延續第一種電路架構概念而設計,使電路效能不會變差太多的情況下,縮小電路尺寸。此種結構是利用上下兩個腔體相疊,在兩基板中間夾層開耦合槽,運用寬面耦合的方式,將能量由一腔體耦合至另一腔體內。此種電路設計同樣依據腔體內生成之簡併模態來設計端口與耦合槽位置,並使饋入端口分別設計在不同層腔體內,進而提升電路之隔離度。此種電路相較於第一種電路架構之電路面積,將近可以縮減成原本的三分之一。第三種電路架構則是利用雙工濾波器與單極天線結合,創造出雙工濾波天線。此種設計使雙工器、

濾波器與天線都能在同一電路中突顯其功能,實現一電路即擁有多功能之效果,同時免除了各元件連接時所需的匹配。天線與基板結合後,天線射增益值會些微提升,並有更明確的天線輻射指向性。由於此電路也具有兩個頻帶之運用,故電路之隔離度也相當重要。最後一種電路架構是設計任意耦合量值的耦合器。此電路不同的部分為使用圓形腔體,因為圓形腔體具有高對稱姓,故在電路設計時有更多的發揮空間。耦合概念則是利用耦合槽線與參考軸之偏轉角度來設計電路耦合量,由於電路還保有腔體共振結構特性,故頻寬部分相較於一般耦合器來的窄一些。兩兩相位相差180°之端口,其隔離度也必須提升,加強耦合器之效能。