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switch off turn off分的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學
國立臺灣科技大學 電機工程系 彭盛裕所指導 李浩宇的 適用於生理訊號感測應用之旁通切換循序漸進式類比數位轉換器電路設計 （2017），提出switch off turn off分關鍵因素是什麼，來自於生醫電路、旁通切換、電流收集器、動態比較器、低功耗、循序漸進式類比數位轉換器。
而第二篇論文國立交通大學 電子研究所 崔秉鉞所指導 游嘉榕的 4H型U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體特性之研究 （2017），提出因為有 碳化矽、U型漕槽式閘極金氧半場效電晶體、金氧半場效電晶體的重點而找出了 switch off turn off分的解答。
switch off turn off分進入發燒排行的影片
香り高い紅茶のパウンドケーキ、紅茶のバターケーキ
パウダー状の茶葉を使うと香りもよく口当たりの悪さもないのでおすすめです
ミルサーがない場合は市販の紅茶パウダーを使うか、すりつぶして細かくしたりティーバッグの細かい中身を使ったり
ただし口当たりはやはり悪いのと、ふやかすとより大きくなっちゃうのでお湯に浸す工程は省略してください(その分生地に牛乳or豆乳を足してね)
シロップはお好みで、ティーリキュールがあればでOK
残ったティーリキュールシロップを炭酸水で割って飲むのは最高です…
動画内で使用したフォションのティーリキュール↓
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【材料】
紅茶パウンド(18cm型)
・全卵 2個
・グラニュー糖 75g
・はちみつ 15g
・紅茶(市販の紅茶パウダーでも可) 5g
・熱湯 15g
・薄力粉 95g
・アーモンドパウダー 10g
・ベーキングパウダー 2g
・バター 115g
シロップ(オプショナル)
・水 25g
・グラニュー糖 25g
・ティーリキュール 42g
・レモン汁 3g
【準備】
・薄力粉、アーモンドパウダー、ベーキングパウダーはふるって使う
・パウンド型に敷き紙を敷く
・オーブンを170℃に予熱する
【作り方】
1. 【紅茶パウンド】紅茶をミルサーでパウダー状にする(もしくはすりつぶして細かくするか、粗くなるがティーバッグの中身をそのまま使うことも可能)
2. 紅茶に100℃の熱湯15gを加えておく(ティーバッグを使う等パウダー状になってない場合は省略、生地に牛乳or豆乳15gを足す)
3. ボウルに全卵2個を溶き、グラニュー糖75g・はちみつ15gを泡立て器ですり混ぜ、お湯で浸しておいた紅茶も混ぜる
4. 薄力粉95g・アーモンドパウダー10g・ベーキングパウダー2gをふるい入れ、ヘラに持ち替えてさっくりと粉っぽさがなくなるまで混ぜる
5. バター115gを鍋やフライパンに入れて弱めの中火にかけ、溶け切る直前に火を消して予熱で溶かす(温度計があれば70℃に調整する)
6. 再度泡立て器に持ち替え、溶かしたバターを生地に加えゆっくりと馴染ませるように混ぜ合わせる
7. 一体化したらヘラに持ち替えて混ざりきってない底の方を中心に切り混ぜて整え、敷き紙を敷いたパウンド型に流す
8. 170℃に予熱したオーブンで40分を目安に焼き、竹串をさして生地がついてこなければ焼き上がり
9. 【シロップ】水25g・グラニュー糖25gを合わせて沸かし、火を止めてティーリキュール42g・レモン汁3gを加える
10. 焼き上がって少し置いた温かい状態のパウンドケーキの上部と側面に刷毛で塗り、ラップで包んで半日置いて出来上がり
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↓using translation software.
[Ingredients]
black tea pound
・2 whole eggs
・Granulated sugar 75 g
・Honey 15 g
・Black tea (You can also use store-bought black tea powder.) 5g
・15 g boiled water
・Cake flour 95 g
・10 g almond powder
・Baking powder 2g
・Butter 115 g
Syrup (Optional)
・25 g water
・Granulated sugar 25 g
・Tea liqueur 42 g
・Lemon juice 3g
[preparation]
・Sift and use weak flour, almond powder and baking powder.
・Cover the pound cake mold with baking paper.
・Preheat the oven to 170 ° C.
[How to make]
1.[black tea pound] Make the tea into powder with a millser (Or you can grind it into small pieces, or you can use the contents of the teabag as it is although it becomes coarse.).
2.Add 15 g of 100 ° C hot water to the tea (If it is not powdery like using a tea bag, omit it. Add 15 g of milk or soy milk to the dough.).
3.Beat 2 whole eggs in a bowl. Mix 75 g of granulated sugar and 15 g of honey with a whisk. Also mix the tea soaked in hot water.
4.Sift in 95 g of weak flour, 10 g of almond powder and 2 g of baking powder. Switch to a spatula and mix until the powdery feel is gone.
5.Put 115 g of butter in a pan or frying pan and heat over a weak medium heat. Turn off the heat just before it melts and melt it in the preheat (If you have a thermometer, adjust it to 70 ° C.).
6.Switch to a whisk again, add the melted butter to the dough and mix it together slowly so it settles in.
7.When it is integrated, switch to a spatula, and mix it with the part of the bottom that is not completely mixed as the center. Then, pour it into a pound cake mold covered with baking paper.
8.Bake it for around 40 minutes in an oven preheated to 170 ° C. Poke it with a bamboo skewer and it will be complete if the mixture does not stick.
9.[syrup] Mix 25 g of water and 25 g of granulated sugar and bring to a boil. Turn off the heat and add 42 g of tea liqueur and 3 g of lemon juice.
10.Brush the top and side of the warm pound cake that has just finished baking. Wrap it in plastic wrap and leave it for half a day to finish.
適用於生理訊號感測應用之旁通切換循序漸進式類比數位轉換器電路設計
為了解決switch off turn off分 的問題，作者李浩宇 這樣論述：
本論文提出一適用於生理訊號感測應用之旁通切換循序漸進式類比數位轉換 器電路設計，為了完成低功耗前端感測電路(Analog-Front-End, AFE)，低功耗類比數位轉換器為必須之電路。此電路能將所感測到之類比電壓訊號轉換為數位輸出，以利後端訊號處理系統分析。在大多數的時間下，生理信號在長時間的狀態下其信號振幅較為微弱。因此在本論文中提出一旁通切換式換循序漸進式類比數位轉換器，並採用一新型動態逼近式比較器。利用電流相關器(Current Correlator) 之電流特性，將旁通信號及輸入信號之比較結果同時輸出，並利用輸出旁通信號決定是否進入旁通介面，以優化低電壓靈敏度的不同偵測信號應用的
功率消耗。此次所設計的類比數位轉換器的原型晶片採用0.35 微米的互補式金氧半製程來實現，其面積大小為0.284mm2。當電源電壓為1.8 V 及0.9 V，採樣頻率為2kS/s 時，其量測結果的信號雜訊失真比率與無雜散動態範圍分別為37.74 dB 和42.68 dB，並實現了5.98 的有效位元數。當輸入為正弦信號時，類比數位轉換器消耗功率為303 nW。為了使循序漸進式類比數位轉換器的消耗功率降低，採用先進的製程是必須的。此外將電容陣列中的單位電容架構採用3D 電容架構，此電容架構能實現一單位電容容值1 fF，以減少切換功率。並提出一新型旁通切換循序漸進邏輯電路，減少了邏輯電路的數量以及
轉換功率。此次所設計的類比數位轉換器的原型晶片採用0.18 微米的互補式金氧半製程來實現，其面積大小為0.041mm2。當電源電壓為0.6 V，採樣頻率為50kS/s 時，其量測結果的信號雜訊失真比率與無雜散動態範圍分別為56.9 dB 和68.7 dB，並實現了9.16 的有效位元數。當輸入為正弦信號時，類比數位轉換器消耗功率為114 nW。在旁路窗口尺寸為±32LSB 的情況下，設計的類比數位轉換器輸入一在經認證的商用模擬器產生的心電圖信號時僅消耗76 nW，此類比數位轉換器品質因數為2.66 fJ/conversion-step.。除了心電信號外，並針對人體的肌電信號和眼電信號轉換來進行
數位化演示。在先進製程中將循序漸進式類比數位轉換器進行生理信號偵測，需將類比數位轉換器操作於低取樣速率下，這將會使漏電流影響類比數位轉換器的線性度。因此在本論文中提出一新型取樣開關與負壓產生器。採用一負壓產生器關閉拔靴帶式開關，並增加電組的阻值限制開關的漏電流及增加開關線性度。此外一新型3D 電容架構被採用於電容陣列，此3D 電容架構能增加輸入振幅及降低單位容值，其單位容值為0.47 fF。此次所設計的類比數位轉換器的原型晶片採用55 奈米的互補式金氧半製程來實現，其面積大小為0.01mm2。當電源電壓為0.6 V，採樣頻率為500kS/s 時，其後製成模擬結果的信號雜訊失真比率與無雜散動態範
圍分別為58.35 dB 和73.4 dB，並實現了9.4 的有效位元數。當輸入為正弦信號時，類比數位轉換器消耗功率為285.9 nW。在旁路窗口尺寸為±32LSB 的情況下，設計的類比數位轉換器輸入一在經認證的商用模擬器產生的心電圖信號時僅消耗173nW，此類比數位轉換器品質因數為0.512 fJ/conversion-step。
4H型U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體特性之研究
為了解決switch off turn off分 的問題，作者游嘉榕 這樣論述：
寬能隙半導體功率元件可操作在高電壓、大電流的高溫環境，已經逐漸取代矽基功率元件。在諸多寬能隙半導體材料中，4H型碳化矽因為擁有高崩潰電場、好的熱傳導性而脫穎而出，但是在4H型碳化矽金氧半場效電晶體中，由於高的介面能態密度導致通導載子遷移率降低，而電荷幫浦 (Charge-pumping)方法可以直接量測到4H型碳化矽金氧半場效體晶體裡的介面能態密度。此外，而增厚底部氧化層 (TBOX)可以有效地降低U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體底部氧化層的電場，在先前的研究中，P型井/N型磊晶接面漏電流是在製作傳統式U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體 (C-UMOSFET)中主要的問題，我們必須先解決這個問
題，而我們的最終目標是製作電性正常的厚底部氧化層U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體 (TBOX-UMOSFET)。 我們使用電荷幫浦量測4H型平面式金氧半場效電晶體的介面能態密度，我們發現當脈衝的下降時間增加至3微秒時，幾何成分就會顯著地減少，這代表從介面能態中釋放的電子有足夠時間到達源極與汲極。此外，我們還量測了不同通導長度的4H型碳化矽平面式金氧半場效電晶體，並且發現幾何成分會造成介面能態密度的高估，最後我們將電荷幫浦法所萃取的介面能態密度來跟高低頻電容法 (High-low CV method)作個比較，電荷幫浦法所萃取的介面能態密度比高低頻電容法的高，這有可能是因為高低頻電容法的頻率不夠
高導致低估介面能態密度。 我們發現用稀釋一氧化二氮成長氧化層的金氧半電容有很嚴重的移動離子效應 (Mobile ion effect)，我們利用電感耦合電漿體質譜法 (ICP-MS)及二次離子質譜儀 (SIMS)發現在氧化層裡有大量的鉀和納元素，他們可能是來自於氧化鋁晶舟，我們用平帶電壓漂移的量來計算出移動離子的濃度大約為3x1012 cm-2，這個濃度是用ICP-MS偵測到的百分之零點零七，這也可以說明為什麼我們在室溫下就可以觀察到遲滯效應。然而，在同樣的氧化製程下，平面式金氧半場效電晶體的Id-Vg特性卻沒有移動離子效應，這兩種金氧半結構最主要的差異在於閘極電極的不同，金氧半電容的閘極電
極為鋁，而平面式金氧半場效電晶體的閘極電極則是多晶矽，後者可以用於集聚納與鉀離子，因此在室溫下才沒有明顯的遲滯效應，平面式金氧半場效電晶體的場效通道遷移率約為50~60 cm2/V-sec，次臨界擺幅為360 mV/decade，這個高通道遷移率可能不只是因為一氧化二氮鈍化的效果還有可能是因為鉀跟納摻雜的結果。 我們利用改良式平台結構隔絕P型井使接面漏電流密度降低4個數量級，並且成功地做出有正常開關特性的傳統式U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體，用稀釋一氧化二氮成長氧化層的傳統式U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體在閘極電壓為30V的通道遷移率大約為1.5~2.5 cm2/V-sec，次臨界擺幅則是1
380 mV/decade。儘管氧化條件相同，傳統式U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體卻有比平面式金氧半場效電晶體還差的次臨界擺幅以及較低的通導遷移率，這有可能是因為低品質的溝槽側壁導致較高的介面能態密度。為了了解通導遷移率劣化的機制，我們量測平面式以及U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體的溫度效應，兩種電晶體的閘極氧化層都是在氬氣稀釋的一氧化二氮環境下進行氧化，對於平面式結構來說，次臨界擺幅以及通導遷移率的溫度相關性並不明顯，而傳統式U型溝槽式閘極結構的次臨界擺幅隨著溫度升高而變好，通導遷移率則是隨著溫度升高而變高，這些結果指出在氧化層與4H型碳化矽間有很高的介面能態密度，它們可能來自於蝕刻後的側壁損
傷或是粗糙的側壁。 我們利用氬氣離子植入來局部性增加氧化速率以製作厚底部氧化層的結構，並且利用穿透式電子顯微鏡 (TEM)來檢視厚底部氧化層結構並做全面性的討論，底部氧化層厚度可以達到132奈米，是傳統結構的3.3倍。此外，厚底部氧化層U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體的崩潰電壓比傳統的大10 V，而閘極-汲極電容則是比傳統式低141 fF，雖然本篇論文製作的厚底部氧化層U型溝槽式閘極金氧半場效電晶體仍然沒有導通特性，但是這些部分的測試結果肯定了厚底部氧化層結構的潛力。