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台湾绿色技术的扩散：采用建设性混合方法的轻型电动汽车开放创新路线图

為了解決lg inverter direct d的問題，作者譚梅爾 這樣論述：

本研究旨在对绿色营销和采用进行评估和理论化，以供参考台湾南部城市台南的轻型电动汽车（LEV）受到日益增长的威胁空气污染。研究方法采用了基于定量的建设性混合方法实证研究，时间序列预测和概念设计工具来构建开放台南LEV的创新路线图。文献检查了以前的电动汽车采用研究和创新过程，而实证研究则包括一项初步研究以对台南潜在客户的绿色态度，然后对其未来进行全面研究基于扩展的计划行为理论（TPB）的行为意图。初步研究依靠共有81个样本，而整个研究则有349个样本。两项研究均收集了年轻人的数据台南重点大学的成年人。其中一项贡献是填补了有关环境意识和媒体通过信任的中介作用来预测态度。虽然完整的研究有助于通过建立

适用于LEV采用的扩展TPB模型来填充该理论行为意向差距，而政府激励措施和感知风险则额外延长意图的预测因素。扩展模型证实了行为控制的中介作用为以及适度的人口统计数据。研究发现，媒体可以建立信任，但不足以直接塑造环境态度，而整个研究发现采用LEV的巨大潜力和考虑到可以感知到的风险和政府支持，在台南的扩散。元数据分析和结果预测了电动汽车的生产和激励，其中发现显示出增长趋势一直持续到2030年。这些发现与概念设计解决方案和路线图战略相结合通过考虑推动因素和障碍，以支持决策者建立未来的见解全面的开放式创新路线图，以促进和促进台湾的LEV扩散。即使论文有很多局限性，包括资金有限和经验范围涵盖台南而非整个

台湾；但组合不同研究工具和分析技术以及经验发现可以被认为是足够的指标，以编制台湾LEV产业的国家路线图。论文还提供对行业和政策决策者以及学术界和未来的建议研究方向。

具有金屬嵌入式源極和蕭特基接觸汲極之負電容感應式穿隧場效應電晶體

為了解決lg inverter direct d的問題，作者柯典佑 這樣論述：

工業4.0是近年來科技提升的目標之一，目的是將現有的資源能夠以雲端科技、大數據運算，使用更有效率且方便的反映市場的需求，而要達成這個目標，低功率半導體元件扮演很重要的角色之一。所以在本碩士論文中，以低功率消耗的半導體元件做為研究主題，希望能夠應用於未來物聯網(IOT)、人工智慧(AI)以及低功耗電子產品上。而要達成低功耗半導體元件，極為陡峭的次臨界擺幅(Sub-threshold Swing, SS)是評判低功耗元件的標準之一。因此我們收集近年來的文獻，來探討如何降低次臨界擺幅。最後我們發現穿隧場效應電晶體(Tunneling field-effect transistors, TFETs)

以及負電容場效應電晶體(Negative Capacitance field-effect transistors, NCFETs)是近年來最為熱門，且不受波茲曼限制 (Boltzmann tyranny)，能使次臨界擺幅能夠低於60 mV/dec的電晶體。因此我們提出了蕭特基之負電容感應式穿隧場效應電晶體(Negative Capacitance TFET with Schottky Contact, SC NCTFET)，以及源極金屬嵌入式蕭特基之負電容感應式穿隧場效應電晶體(Embedded-Metal Source Negative Capacitance TFET with Scho

ttky Contact, ES SC NCTFET)兩個架構，將穿隧場效應電晶體以及負電容場效應電晶體能夠降低次臨界擺幅的優點統整起來。 蕭特基之負電容感應式穿隧場效應電晶體(SC NCTFET)以P型塊材的矽鍺做為此元件的基板，且利用半導體與汲極金屬間的蕭特基接觸，讓汲極端有感應式的N型摻雜產生。不需要經過任何離子佈植的製程步驟，可以大大減少製程所需的熱成本。蕭特基之負電容感應式穿隧場效應電晶體的機制，是利用反轉層與通道層內的能帶差，形成的線穿隧來產生電流。這比起傳統穿隧電晶體的點穿隧機制，有更好的閘極控制能力、較小的平均次臨界擺幅，以及更有效抑制陷阱輔助穿隧(Trap Assist

ed Tunneling, TAT)效應的影響。最後再利用HfO2摻雜鋯離子(Zr)所形成的HZO以Hf : Zr = 57:43的比例混合作為閘極氧化層，讓HZO有較多的晶相變為斜方晶相以及四方晶相，使得閘極氧化層含有鐵電性，形成負電容效應。經過研究加入鐵電材料可使平均次臨界擺幅降低約45%，且在VG = 1.0 V時，導通電流能提升8.30倍。最後蕭特基之負電容感應式穿隧場效應電晶體(SC NCTFET)的最佳化結果，能夠在VD = 0.2 V下達到，導通電流4.04 × 10-6 A/μm、開關電流比7.10 × 107以及平均次臨界擺幅30.6 mV/dec的成績。 源極金屬嵌入

式蕭特基之負電容感應式穿隧場效應電晶體(Embedded-Metal Source Negative Capacitance TFET with Schottky Contact, ES SC NCTFET)，則是改良SC NCTFET導通電流不夠高，以及平均次臨界擺幅不夠低的問題。在研究過程中發現到將源極金屬嵌入進通道層裡，讓源極與閘極完全的平行且重疊，能夠使反轉層與本體區的帶對帶穿隧所需的穿隧距離縮短。以增加線穿隧產生載子的濃度，達到提高導通電流，以及降低次臨界擺幅值的目的。且加入擁有負電容效應的HZO作為閘極氧化層，可以讓平均次臨界擺幅再降低約53%，在VG = 0.5 V時，導通電流也

提升了2.48倍。雖然在製程的步驟上ES SC NCTFET較為複雜，但在VD = 0.2 V狀態下可達到，導通電流1.62 × 10-5 A/μm、開關電流比2.09 × 107以及平均次臨界擺幅8.32 mV/dec，相比於SC NCTEFT性能有明顯的提升。最後我們將ES SC NCTFE應用於反相器(Inverter)和靜態隨機存取記憶體(6T-Static Random Access Memory, SRAM)。在VDD = 0.5 V的工作電壓下，反相器的本質增益可以達到95.474；而在VDD = 0.5 V的工作電壓下，靜態隨機存取記憶體表現，其維持靜態雜訊邊限(Hold St

atic Noise Margin, SNMH)以及讀取靜態雜訊邊限(Read Static Noise Margin, SNMH)分別可以達到228mV (45.6% VDD)和122.3 mV (24.5％ VDD)，且最低可操控在VDD = 0.155 V的工作電壓下，不會受到雜訊的影響。這表示蕭特基之負電容感應式穿隧場效應電晶體在未來的低功耗元件競爭之下是非常有潛力的。