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國立清華大學 動力機械工程學系 洪哲文所指導 李敏瑋的 有機導電高分子熱電晶片之熱電優質固態物理探討 （2012），提出intelligent i-n sham關鍵因素是什麼，來自於熱電晶片、聚3、4-二氧乙基噻吩、密度泛函理論。
除了intelligent i-n sham，大家也想知道這些：
有機導電高分子熱電晶片之熱電優質固態物理探討
為了解決intelligent i-n sham 的問題，作者李敏瑋 這樣論述：
本研究的目的是希望藉由探討有機導電高分子（organic conducting polymers, CPs）聚3, 4-二氧乙基噻吩（poly-3,4-Ethylenedioxythiophene, PEDOT）及其衍生物之結構，尋找提高其熱電優質方法，以替代目前熱電材料。當前普遍採用的熱電材料，多數為貴重稀有金屬（例如：鉍鍗化合物Bi2Te3），雖其轉換效率在常溫較高，但使用稀有金屬材料卻有高成本、高污染、回收不易的風險，且來源受某些國家控制；因此在這裡選擇使用低成本合成、地球含量豐富且具較低熱傳導率之聚噻吩導電高分子來作為熱電材料的研究對象，希望能達到替代稀有材料、降低材料成本、提升熱電
性能等目標，並藉此提高台灣本土材料的供應優勢及競爭潛力。影響熱電材料效能的因素包括：電子傳導率（electrical conductivity）、席貝克係數（Seebeck coefficient）及熱傳導係數（thermal conductivity）等，這些性質皆隨著材料的電子態密度分布（density of state, DOS）與聲子頻散關係（phonon dispersion relation）而改變。本研究將使用第一原理的密度泛函理論（density functional theory, DFT），並配合平面波與周期性邊界條件建立與模擬聚3, 4-二氧乙基噻吩分子結構，再以密度泛函
微擾理論（density functional perturbation theory, DFPT）計算取得聲子頻散關係等性質參數。進行完第一部分的模擬計算後，將獲得的各項參數代入波茲曼傳輸方程式（Boltzmann transport equation），推導出熱電材料之電子傳導率、熱傳導係數、席貝克係數等，最後便可得到用以評斷熱電材料運作效能的熱電優值ZT （figure of merit）。結果顯現，將導電高分子聚3, 4-二氧乙基噻吩及其衍生物(如PEDOT ─ OCH3、PEDOT ─ CH3、PEDOT ─ Br等)各種性質進行比較與探討，結論為取代基Br之聚噻吩衍生物具有較佳的熱
電性能，ZT值上亦相對有最好表現，因此，此衍生物可做為未來設計新熱電材料之參考，亦為本研究團隊在全世界高變競爭中，由電子軌域構造首創之新型材料構思。