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不同髂腰肌伸展對臀大肌力量、 髖關節伸展活動度、下肢動態平衡之影響

為了解決bishop briggs hold o的問題，作者詹明嘉 這樣論述：

髂腰肌與臀大肌是人體軀幹穩定與下肢運動重要的角色，但隨著髂腰肌緊繃與民眾久坐習慣，可能導致髂腰肌緊繃縮短而影響主動肌與拮抗肌的協調或交互抑制臀大肌，造成肌肉緊繃不適、髖關節活動度降低、肌肉協調性變差，形成姿勢不良與運動傷害風險提升等問題。而運動前介入處置若能增加肌肉延展性與協調性普遍被認為能降低受傷風險。目的：本研究探討靜態伸展與本體感覺神經肌肉伸展雙側髂腰肌對分別左、右腳臀大肌力量、髖關節伸展活動度、Y字平衡各方向成績的影響，針對介入前後測成績進行比較。方法：以23名髂腰肌緊繃之個案為實驗對象，分別進行雙人靜態伸展與本體感覺神經肌肉伸展術，並於介入前、後進行測驗。統計分析以成對樣本T檢定與

二因子重複量數變異數分析前、後測結果，統計水準訂為α =.05。結果：靜態伸展組臀大肌力量、髖關節伸展活動度、Y字平衡測試後內、後外方向顯著進步；本體感覺神經肌肉伸展組臀大肌力量、髖關節伸展活動度、Y字平衡各方向皆顯著進步。兩組進步幅度無顯著差異。結論：靜態伸展與PNF伸展緊繃髂腰肌後可增加髖關節伸展活動度與臀大肌力量，能達到降低運動傷害風險之目的。而透過PNF伸展緊繃髂腰肌後於Y字平衡三方向成績都有顯著進步，或許代表PNF的介入方式更適合提升整體下肢動態平衡能力。

寬波段與低耗能之光-電-熱偵測與轉換元件研究

為了解決bishop briggs hold o的問題，作者林耕德 這樣論述：

隨著時代的演進與科技發展，光電熱轉換元件已被廣泛的運用於影像感測、光通訊、環境監控、太空偵測以及太陽能源回收等領域。然而現今市售之光電熱元件中，大多面臨著需操作偏壓過大、可偵測之頻譜範圍受限與偵測能力不足等問題，因而嚴重地限制了這些元件實際的應用性。因此，本論文主要目的在於開發高效率、寬波段、低耗能之光電熱轉換元件。 為了開發高效率之光電熱轉換元件，直接改善元件之材料品質將可快速的提升整體光電元件之轉換效率。論文第一個部分，我們利用氟化氪準分子雷射來對於硫化鎘光導體元件進行表面之改質，可大量的製作出低成本、低耗能、高光電響應之硫化鎘光偵測器。透過準分子雷射照射於市售低價之光敏電

阻元件上，藉由雷射劑量與照射次數之調控，進而使得硫化鎘於極淺層之區域產生差排減少與結晶性變好等特性，我們亦發現此具有良好結晶性之硫化鎘元件將可於外加極低偏壓的情況下於弱光下仍具有極佳的光電響應能力與偵測能力；此外，本論文更發現於雷射退火前後，此硫化鎘元件於紫外光波段之光電轉換增益將較可見光來的顯著。於本論文中，此表面改質之硫化鎘元件將可於施加1毫伏特時，便可對於極弱強度(10-2 fW µm-2)之可見光(540 nm)表現出7200 A W-1之光電響應能力與1015 Jones之偵測能力；而對於極弱光強度(1.9×10-2 fW µm-2)之紫外光(365 nm)照射下時，表現出光電響應能

力與偵測能力分別為74.7 A W-1與1014 Jones。此外，此表面處理之硫化鎘元件於極弱光強度照射時所需的反應時間僅需40毫秒，此反應時間相較於傳統數位相機於收集極弱光強度影像時來得更快。因此，於本論文中所提出之極淺區域表面改質之硫化鎘元件將非常適用於低耗能之紫外光至可見光波段弱光偵測相關應用上。 論文第二個部分，我們開發了一種元件架構簡單之表面電漿彩色影像偵測器。整體元件結構之組成為將具有週期性孔洞陣列結構之單層鋁膜製作於矽基材上以形成蕭特基接面，進一步達成彩色影像偵測之目的。此方法可以大幅度的降低繁複的元件結構設計與製程上的難度。此外，週期性孔洞陣列結構的單層鋁膜於彩色影像偵

測之過程中將具多種功能特性，如：分光、光電轉換與光激載子收集；且此種元件設計架構更克服了於傳統彩色光偵測器中光傳輸層所造成的干涉現象，可避免分光後之彩色頻譜再次的被扭曲。而於光電轉換特性上，此具有表面電漿特性之蕭特基元件將可運用金屬結構於近場電場強度增強之效應以提升矽之光學吸收，進而使得於不施加偏壓之情況下亦可擁有極高的電流輸出與光電響應能力；此外，此元件更可將光所激發之載子直接轉換為電壓之型式輸出，以做為判斷光強度之依據，縱使於極弱之光強度(fW µm-2)照射下，此元件於電壓之輸出上仍有幾微伏特，相較於傳統之彩色影像偵測器，此種方法將可減少於後續電路設計中所需要的電容數量，進而縮小電路設計

所需的面積。因此，本論文所提出具有表面電漿特性之蕭特基彩色影像偵測器將可更進一步的與互補式金屬氧化物半導體相容之電路設計進行整合，以期可利用成熟之半導體技術開發出具有極高像素之彩色影像偵測器。 論文的第三部分提出了一種利用金屬天線結構，其所產生之表面電漿子衰逝可進而產生熱電子以跨躍金屬與矽基材所形成之蕭特基接面，以作為紅外線偵測之方法，開創了利用矽基半導體材料來偵測通訊波段之紅外光的道路。本論文所提出的金屬奈米天線結構為一種將深溝槽薄金屬週期性陣列結構製作於矽基材上，將可利用表面電漿共振現象、共振腔效應以充分的收集任一偏振方向入射之紅外光源，再透過大面積的金屬/矽基材接面大幅地接收由金屬

所產生的熱電子，以提升整體元件於紅外光波段之光電流輸出。本論文所提出之深溝槽薄金屬矽基元件將可於不施加偏壓的情況下，便表現出極佳的光電轉換能力；此外，此元件不論於強光(3 mW)與弱光(20.5 µW)之通訊波長紅外光(1550 nm)照射下，其光電流之輸出皆可具有極佳的線性程度。因此，本論文所提出之深溝槽薄金屬矽基元件將可突破傳統矽基光偵測器所能偵測之波長極限，可低耗能地於寬波段(紫外光至光通訊波段)中收集各種偏振方向之入射光以轉換為電訊號之輸出來做為光源強度判斷之依據，並可與成熟之半導體製程技術整合以用於矽光晶體晶片之許多通訊波段相關應用上。 論文的第四部分更進一步探討單層溝槽狀薄層

金屬結構所具有的特殊光學性質及其光熱轉換特性。本論文提出一個由負載效應所誘發的單層溝槽狀薄層金屬結構來達成寬波段的光能回收。此由負載效應所誘發的單層溝槽狀薄層金屬結構將可利用表面電漿現象與共振腔效應於紫外光至近紅外光區間提供高吸收、可輕易調控吸收波段且對於光的極化偏振方向不敏感等光學特性，且此結構之最佳化參數大小約為所欲設計波長的一半，如此縱使所欲設計之波長於紫外光或可見光波段，此結構之大小仍可維持數百奈米的尺度，可大幅降低於製程上之難度。於本論文中，此結構所具有的寬波段高吸收特性將可符合太陽光能於地表之光譜輻照度(AM 1.5)分佈，如此便可充分的吸收太陽光能，以於太陽光能之回收應用上有所助

益；此外，本論文亦已證實此種由負載效應所誘發的單層溝槽狀薄層金屬結構具有極佳的光熱轉換能力，並觀察到此結構於紅外光(5–10 µm)與可見光波段之光學行為大不相同，因此此結構將可充分的吸收具有高光子能量之紫外光、可見光與近紅外光以產生熱能，而後可藉由連續金屬薄膜層將熱能有效的傳導與收集，並防止所產生的熱藉由熱輻射之方式而散失，如此便可充分的回收與利用光能，以期可於光能回收利用與感測等相關領域應用上有所助益。 於論文的最後一部份，我們提出了一種無需彩色濾光片且無接面(junctionless)之彩色影像偵測器。此元件之組成僅為具有單層溝槽狀結構之薄層鋁膜，此結構將可利用近場之表面電漿特性與

共振腔效應大幅度的提升於鋁金屬膜與空氣介面間之電場強度，進而使得此單層結構鋁膜具有極大的吸收；而於鋁金屬膜吸收光能後將會更進一步的將光能轉換為熱能，進而使得鋁金屬薄膜之溫度有所提升；而後，於鋁金屬薄膜之溫度上升與此溝槽狀金屬薄膜結構周圍所形成的高電場強度之影響下，金屬膜內部之電子將會於移動的過程中受到阻礙，因而導致此薄層鋁膜之電訊號輸出(如：電阻、電流)於固定偏壓下發生改變，以作為判斷光強度的依據。此外，此單層溝槽狀結構之薄層金屬膜於光偵測的過程中，將具有多功能之特性，如：顏色選擇吸收(僅有於設計波段之光能會被此結構所大幅吸收)、產生熱與電場增強來影響金屬膜內部電子之移動行為與收集所產生的電訊

號差異。於本論文中，我們已證實此元件縱使於低偏壓操作下，仍可表現出極佳的光熱電轉換特性，其彩色分光頻譜響應之反應相當快速。相較於過往所發表的基於彩色濾光片且具有接面特性之彩色影像偵測器，本論文中所提出之方法為一種全新的彩色影像偵測器設計概念，將可把此種結構建構於任意之基板上以達成彩色影像之偵測，我們預期此方法將可應用於許多影像感測與光偵測之相關應用上。